| Project/Area Number |
15072204
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Review Section |
Science and Engineering
|
|---|
| Research Institution | Kobe University (2004-2007)
Osaka University (2003) |
|---|
Principal Investigator |
播磨 尚朝 Kobe University, 大学院・理学研究所, 教授 (50211496)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大貫 惇睦 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40118659)
鄭 国慶 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (50231444)
今田 真 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 准教授 (90240837)
清水 克哉 大阪大学, 極限量子科学研究センター, 教授 (70283736)
難波 孝夫 (灘波 孝夫) 神戸大学, 大学院・理学研究科, 教授 (30091721)
杉山 清寛 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (00187676)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2003 – 2007
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2007)
|
| Budget Amount *help |
¥157,800,000 (Direct Cost: ¥157,800,000)
Fiscal Year 2007: ¥19,700,000 (Direct Cost: ¥19,700,000)
Fiscal Year 2006: ¥26,000,000 (Direct Cost: ¥26,000,000)
Fiscal Year 2005: ¥30,300,000 (Direct Cost: ¥30,300,000)
Fiscal Year 2004: ¥45,100,000 (Direct Cost: ¥45,100,000)
Fiscal Year 2003: ¥36,700,000 (Direct Cost: ¥36,700,000)
|
|---|
| Keywords | スクッテルダイト / フェルミ面 / 多極子 / 超伝導 / NMR / NQR / 結晶場分裂 / 価数揺動状態 / 光反射率 / 金属・絶縁体転移 / 価数揺動 / 電磁勾配 / 超伝導体 / 赤外反射スペクトル / 非フェルミ液体 / 電場勾配 / デハース・ファンアルフェン効果 / 近藤共鳴 / スピン密度波 / 光学伝導度 / 重い電子系 / ドハース・ファンアルフェン効果 / 金属絶縁体転移 / ネスティング |
|---|
| Research Abstract |
(電子状態計算)LaOS_4P_12のフェルミ面を明らかにし、ネスティング条件を議論した。
(dHvAと高磁場)ROs_4P_l2(R=La,Ce,Pr,Nd,Sm)とEuRu_4Sb_12の単結晶育成に成功し、dHvA測定を行った。PrOs_4P_12のフェルミ面はLaOs_4P_12と類似しており18m_0の重いサイクロトロン有効質量を観測し、LaOs_4P_12に比べ4倍ほど重くなっている。EuRu_4Sb_12においてdHvAを観測し、フェルミ面の形状からEuの価数は2価であると推測した。
(NMR/NQR)PrOs_4Sb_12の超伝導状態および結晶場分裂をP=3.82GPaまでの高圧下NMRによつて調べた。また、YbFe_4Sb_12の緩和時間測定(100K以下)で見られる異常に関して、価数変化とラットリングの観点から議論を行った。
(光電子分光)重い電子系的な振る舞いを示すSmOs_4Sb_12は、電子状態の基本的な知見が不足してが、Smが2価と3価の間の価数揺動状態にあること、平均価数が温度変化すること、フェルミ準位付近に大きなSm4f部分状態密度が有ることを明らかにした。
(高圧測定)高圧下の比熱測定技術を整備し、電気抵抗測定との同時測定を可能にした。結晶構造解析等によって、PrRu_4P_l2の高次の多極子秩序および超高圧下の物性変化について系統的に研究した。
(赤外分光)・CeRu_4As_12を常温でCeOs_4As_12を室温から3.3 Kの温度範囲で光反射率の測定を行った。いずれも0.leV程度のエネルギーギャップを有する半導体であることを明らかとした。
|
