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高効率ナノ結晶シリコンEL素子の高安定化と多色化に関する研究

Research Project

Project/Area Number 15760237
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electron device/Electronic equipment
Research InstitutionTokyo University of Agriculture and Technology

Principal Investigator

BERNARD Gelloz (BERNAD GELLOZ)  国立大学法人東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究部, 助手 (40343157)

Project Period (FY) 2003 – 2004
Project Status Completed (Fiscal Year 2004)
Budget Amount *help
¥3,700,000 (Direct Cost: ¥3,700,000)
Fiscal Year 2004: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 2003: ¥2,700,000 (Direct Cost: ¥2,700,000)
Keywordsエレクトロルミネッセンス / シリコンナノ結晶 / 発光効率 / 動作安定化 / 表面パッシベーション
Research Abstract

本研究の目的は、ナノ結晶シリコン(nc-Si)からの可視エレクトロルミネセンス(EL)の効率および安定性の向上である。これらを実現するために二つの主要な実験を試みた。
まず、表面電極とnc-Si層との間に薄いカーボンバッファー膜を挿入する構造を提案し、EL発光効率が著しく増大することを明らかにした。発光特性の解析によると、カーボンバッファー膜はnc-Si層と電極との電気的接触面積を実効的に増大させる効果をもち、従来よりも非常に低い印加電圧(3V)でのEL動作を可能にした。同時に、カーボンバッファー膜は界面の機械的・化学的安定性の向上にも寄与している。この素子構成により、当該分野のトップデータである電力効率0.37%を達成し、3cd/m^2の発光輝度を得た。また効率の向上に加え、我々の作製したELデバイスは、印加電圧によってELスペクトルのピーク波長を制御することができるという、多色化につながる特性をもつこともわかった。
効率と並行して、素子の安定性向上についても研究を進めた。一般に、nc-Siを用いたEL素子では表面自然酸化の影響を強く受けるため、発光強度が劣化しやすい。そこで、酸化を抑制する手段として、nc-Si表面に残存する不安定なsi-H結合を、より安定な共有結合に置き換え、EL劣化の主因となる非発光再結合欠陥の発生を抑えることを試みた。具体的には、1-デセンなどの有機材料を用いて試料に熱的処理を施し、nc-Si表面にSi-CまたはSi-O結合終端を形成した。その結果、ELの著しい安定化が実現され、数日間の直流連続動作の下でもEL強度が一定に保たれることを確認した。
以上により、nc-Si発光素子の開発において最大の課題である高効率化・高安定化について、今後の発展につながる重要な知見が得られた。

Report

(2 results)
  • 2004 Annual Research Report
  • 2003 Annual Research Report
  • Research Products

    (11 results)

All 2005 2004 Other

All Journal Article (5 results) Book (1 results) Publications (5 results)

  • [Journal Article] Stable electroluminescence from passivated nano-crystalline porous silicon using undecylenic acid2005

    • Author(s)
      B.Gelloz
    • Journal Title

      Physica Status Solidi (In press)

    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Journal Article] Improved Optoelectronic Characteristics of Nanocrystalline Porous Silicon by High-Pressure Water Vapor Annealing2005

    • Author(s)
      B.Gelloz
    • Journal Title

      Material Research Society Symposium Proceedings, Group IV Semiconductor Nanostructures 832(In press)

    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Journal Article] Electroluminescence enhancement assisted with ballistic electron excitation in nanocrystalline silicon diodes2005

    • Author(s)
      B.Gelloz
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 44(In press)

    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Journal Article] High performance electroluminescence from nanocrystalline Si with carbon buffer2004

    • Author(s)
      B.Gelloz, N.Koshida
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 43

      Pages: 1981-1985

    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Journal Article] A Solid-State Multicolor Light-Emitting Device Based on Ballistic Electron Excitations2004

    • Author(s)
      Y.Nakajima, B.Gelloz
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 43

      Pages: 2076-2079

    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Book] Handbook of Electroluminescence Materials, Chapter 102004

    • Author(s)
      B.Gelloz, N.Koshida
    • Publisher
      Silicon and porous silicon
    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Publications] B.Gelloz, N.Koshida: "High performance electroluminescence from nanocrystalline Si with carbon buffer"Japanese Journal of Applied Physics. (in press). (2004)

    • Related Report
      2003 Annual Research Report
  • [Publications] B.Gelloz: "Stabilization of porous silicon electroluminescence by surface passivation with controlled covalent bonds"Applied Physics Letters. 83(12). 2342-2344 (2003)

    • Related Report
      2003 Annual Research Report
  • [Publications] N.Koshida, B.Gelloz: "Photon, electron and ultrasonic emission from nanocrystalline porous silicon devices"Material Research Society Symposium Proceedings, Quantum Confined Semiconductor Nanostructures. 737. 801-812 (2003)

    • Related Report
      2003 Annual Research Report
  • [Publications] B.Gelloz, N.Koshida: "Effects of Amorphous Carbon Films on the Performance of Porous Silicon Electroluminescence"Material Research Society Symposium Proceedings, Quantum Confined Semiconductor Nanostructures. 737. 581-588 (2003)

    • Related Report
      2003 Annual Research Report
  • [Publications] B.Gelloz, N.Koshida: "Handbook of Luminescence, Display Materials, and Devices"Electroluminescence of Nanocrystalline Porous Silicon Devices. Chapter V 127-156 (2003)

    • Related Report
      2003 Annual Research Report

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Published: 2003-04-01   Modified: 2016-04-21  

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