深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

• Project/Area Number: 15H02013
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Applied materials
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 川上 養一 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30214604)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 船戸 充 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70240827) ; 石井 良太 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (60737047)
• Project Period (FY): 2015-04-01 – 2016-03-31
• Project Status: Discontinued (Fiscal Year 2015)
• Budget Amount: ¥14,300,000 (Direct Cost: ¥11,000,000、Indirect Cost: ¥3,300,000); Fiscal Year 2015: ¥14,300,000 (Direct Cost: ¥11,000,000、Indirect Cost: ¥3,300,000)
• Keywords: 近接場光学 / 深紫外分光 / 超ワイドギャップ半導体

Outline of Annual Research Achievements

本研究は，深紫外（波長：210～300nm）領域で分光計測が可能な近接場光学顕微鏡（SNOM）技術を開発し，AlGaNナノ構造，BN系半導体，ダイヤモンドなどの超ワイドギャップ半導体における励起子や励起子分子などのキャリア素励起（準粒子）の空間・時間ダイナミクスを明らかにすることを目的に，平成27年度より研究をスタートした。しかしながら，開始から数か月で基盤研究（S）に採択されたため，規定によって交付決定の一部取り消しを行うこととなった。このような事情のため，研究実施はごく短期間ではあったが，深紫外SNOMファイバープローブについて，ファイバー材質と形状の最適化によって波長200nmまでの高透過率特性を実験的に検証することに成功しており，所期の目的の一部を達成することができた。

Research Progress Status

27年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

27年度が最終年度であるため、記入しない。