High quality bulk-SiGe single-crystal growth methods for high-speed CPU
| Project/Area Number |
15K04671
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Crystal engineering
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| Research Institution | Japan Aerospace EXploration Agency |
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Principal Investigator |
Arai Yasutomo 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 有人宇宙技術部門, 主任研究開発員 (90371145)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
前田 辰郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹 (40357984)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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| Budget Amount *help |
¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2015: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
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| Keywords | SiGe / 結晶成長 / 電子材料 / シリコンゲルマニウム / 飽和溶融帯移動法 / 赤外透過率 |
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| Outline of Final Research Achievements |
We studied high quality bulk SiGe crystals applying for the high-speed transistor using travelling liquidus zone methods. Hole mobilities of SiGe crystals are higher than that of the Si crystals. A grown SiGe crystal on Si-see d usually occurred mosaic structures due to the difference in thermal expansion between the Si and SiGe. The SiGe-seed crystals did not produce single SiGe crystals because might be caused by constitutional supercooling. We try a new double zone method: a seed crystal is sandwiched by liquidus zone. The zone under the seed will be melt the seed with SiGe growing.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
高速CPU開発は、今後の高速移動体通信や処理速度の速い小型PCには必須の機器であり開発が渇望されている。SiGe結晶の高品質結晶は、高速CPUを実現する次世代の結晶候補であり、インテルなどのトランジスタにも部分的に利用されているが、高品質結晶が得られれば更なる高速化が期待される。現在、高品質SiGeの量産に成功している企業はなく、本研究の成果が結実すれば、電子デバイス産業の一翼を担うことができる。
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Report
(5 results)
Research Products
(10 results)
