Integration of III-V quatum dots laser on silicon photonic circuits

• Project/Area Number: 15K06029
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: Sophia University
• Principal Investigator: SHIMOMURA Kazuhiko 上智大学, 理工学部, 教授 (90222041)
• Project Period (FY): 2015-04-01 – 2018-03-31
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2017)
• Budget Amount: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000); Fiscal Year 2017: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2016: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2015: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
• Keywords: シリコンフォトニクス / 半導体レーザ / 量子ドット / 集積化技術 / 有機金属気相成長 / InP / 変調器 / シリコン / 直接貼付 / 集積技術 / 光スイッチ

Outline of Final Research Achievements

To realize the optical interconnection technology, we have studied the integration of III-V quantum dots laser on silicon substrate. We have applied our proposal methods, that is, crystal growth of III-V semiconductor device layers using directly bonded thin-film InP and silicon substrate. 1.5μm wavelength GaInAsP double-heterostructure was grown by metal-organic vapor phase epitaxy, and fabricated fabry-perot laser. We have obtained room temperature pulse lasing, and the threshold current density was almost the same with the laser on InP substrate. Furthermore, we have grown the quantum dots structure on silicon substrate, and obtained the output optical power by injection current.

Research Products

• [Journal Article] Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate (2018)
  • Author(s): M. Aikawa, Y. Onuki, N. Hayasaka, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama and K. Shimomura
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 57 Issue: 2S1 Pages: 02BB04-02BB04
  • DOI: 10.7567/jjap.57.02bb04
  • NAID: 210000148623
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Lasing characteristics of 1.2 μm GaInAsP LD on InP/Si substrate (2018)
  • Author(s): P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • Journal Title: Physica Status Solidi A Volume: 215 Issue: 8
  • DOI: 10.1002/pssa.201700357
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform (2016)
  • Author(s): K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 55 Issue: 11 Pages: 1122011-7
  • DOI: 10.7567/jjap.55.112201
  • NAID: 210000147227
  • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
• [Journal Article] Room-temperature operation of GaInAsP lasers epitaxially grown on wafer-bonded InP/Si substrate (2016)
  • Author(s): K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, T. Kanke, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 9 Issue: 6 Pages: 0627011-3
  • DOI: 10.7567/apex.9.062701
  • NAID: 210000137931
  • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
• [Journal Article] Emission wavelength control of self-catalytic InP/GaInAs/InP core-multishell nanowire on InP substrate grown by MOVPE (2016)
  • Author(s): T. Ogino, K. Asakura, K. Takano, T. Waho, and K. Shimomura
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 55 Issue: 3 Pages: 031201-031201
  • DOI: 10.7567/jjap.55.031201
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] 化合物半導体と異種材料との接合技術 (2016)
  • Author(s): 下村和彦
  • Journal Title: O plus E Volume: 38 Pages: 139-147
• [Presentation] Lasing characteristics of 1.5μm GaInAsP ridge laser diode on directly bonded inP/Si substrate (2018)
  • Author(s): P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
  • Organizer: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの閾値電流密度の共振器長依存性 (2018)
  • Author(s): 矢田拓夢, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 佐藤栄成, 松浦正樹, 下村和彦
  • Organizer: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性 (2018)
  • Author(s): 内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
  • Organizer: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の検討 (2018)
  • Author(s): 杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希,下村和彦
  • Organizer: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] シリコン基板上InP系半導体デバイス集積化技術 (2017)
  • Author(s): 下村和彦
  • Organizer: 2017年電子情報通信学会総合大会
  • Place of Presentation: 名城大学, 天白キャンパス, 名古屋
  • Year and Date: 2017-03-24
  • Invited
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの基板加熱温度依存性 (2017)
  • Author(s): 大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-16
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性 (2017)
  • Author(s): 鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-16
• [Presentation] Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique (2017)
  • Author(s): P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki and K. Shimomura
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-16
• [Presentation] 直接貼付けInP/Si基板上レーザ構造における電圧電流特性のアニール温度依存性 (2017)
  • Author(s): 早坂夏樹, 西山哲央,大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan Periyanayagam,相川政輝,内田和希,杉山滉一,下村和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-15
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上レーザ構造のアニール温度依存性評価 (2017)
  • Author(s): 相川政輝,西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 杉山滉一, 早坂夏樹,内田和希,韓旭, Gandhi Kallarasan P., 下村 和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-15
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの電気特性 (2017)
  • Author(s): 韓旭, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝,杉山滉一, 早坂夏樹,下村和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-14
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの低温発振特性 (2017)
  • Author(s): 内田和希, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹,下村和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-14
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザ構造のX線回折評価 (2017)
  • Author(s): 杉山滉一, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦
  • Organizer: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜, 神奈川
  • Year and Date: 2017-03-14
• [Presentation] Lasing characteristics of GaInAsP stripe laser integrated on InP/Si substrate (2017)
  • Author(s): K. Uchida, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • Organizer: The 22nd OptoElectronics and Communications Conference
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Low threshold current of GaInAsP laser grown on directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • Author(s): H. Sugiyama, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Uchida, and K. Shimomura
  • Organizer: The 22nd OptoElectronics and Communications Conference
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform based on direct bonding and MOVPE growth (2017)
  • Author(s): K. Shimomura
  • Organizer: 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration,
  • Int'l Joint Research / Invited
• [Presentation] Lasing characteristics of MOVPE grown 1.5µm GaInAsP LD using directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • Author(s): N. Hayasaka, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, M. Aikawa, and K. Shimomura
  • Organizer: 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP wafer grown on directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • Author(s): M. Aikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • Organizer: 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 1.5μm laser diode on InP/Si substrate by epitaxial growth using direct bonding method (2017)
  • Author(s): Gandhi Kallarasan P., T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • Organizer: Conference on Lasers and Electro-Optics 2017
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Annealing temperature dependence of GaInAsP LD characteristics on InP/Si substrate fabricated by wafer direct bonding (2017)
  • Author(s): Y. Onuki, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • Organizer: Compound Semiconductor Week 2017
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Lasing characteristics and temperature dependence of 1.5µm GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • Author(s): N. Kamada, T. Nishiyama, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • Organizer: Compound Semiconductor Week 2017
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 (2017)
  • Author(s): 早坂夏樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 松浦正樹, 矢田拓夢, 下村和彦
  • Organizer: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [Presentation] 高機能・高集積光デバイスを支える異種材料貼り合わせ技術 (2017)
  • Author(s): 下村和彦
  • Organizer: 電子情報通信学会2017年ソサイエティ大会
  • Invited
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPストライプレーザの室温発振特性 (2017)
  • Author(s): 内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
  • Organizer: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの低閾値構造の検討 (2017)
  • Author(s): 杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦
  • Organizer: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [Presentation] Room temperature lasing operation of 1.5µm GaInAsP LD on InP/Si substrate (2017)
  • Author(s): P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
  • Organizer: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性 (2017)
  • Author(s): 韓旭, 鎌田直樹, 大貫雄也, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • Organizer: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザ閾値電流密度共振器長依存性 (2017)
  • Author(s): 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • Organizer: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの貼付アニール温度依存性 (2017)
  • Author(s): 相川政輝, 大貫雄也, 早坂夏樹, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan P., 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
  • Organizer: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [Presentation] Integration of GaInAsP Laser Diode on Direct-Bonded Thin Film InP-Si Substrate (2016)
  • Author(s): G. Kallarasan, T. Nishiyama, K. Naoki, Y. Onuki and K. Shimomura
  • Organizer: 第77回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 朱鷺メッセ, 新潟
  • Year and Date: 2016-09-16
• [Presentation] Lasing characteristics of GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate (2016)
  • Author(s): T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, Y. Onuki, N. Kamada, and K. Shimomura
  • Organizer: The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
  • Place of Presentation: Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Japan
  • Year and Date: 2016-09-15
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性 (2016)
  • Author(s): 鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, 下村和彦
  • Organizer: 第77回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 朱鷺メッセ, 新潟
  • Year and Date: 2016-09-14
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜のInPテンプレート膜厚依存性 (2016)
  • Author(s): 大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
  • Organizer: 第77回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 朱鷺メッセ, 新潟
  • Year and Date: 2016-09-14
• [Presentation] InP薄膜-シリコン基板への半導体結晶成長を用いた光デバイス集積化技術の検討 (2016)
  • Author(s): 下村和彦
  • Organizer: 第4回集積光デバイスと応用技術研究会
  • Place of Presentation: NTT厚木研究開発センタ, 神奈川
  • Year and Date: 2016-08-05
  • Invited
• [Presentation] S-K Growth of InAs quantum dots on directly-bonded InP/Si substrate using MOVPE (2016)
  • Author(s): N. Kamada, T. Sukigara, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki and K. Shimomura
  • Organizer: 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016)
  • Place of Presentation: TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan
  • Year and Date: 2016-07-06
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding (2016)
  • Author(s): T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Sukigara, Y. Onuki, N. Kamada, T. Kanke, and K. Shimomura
  • Organizer: 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016)
  • Place of Presentation: TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan
  • Year and Date: 2016-07-05
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 (2016)
  • Author(s): 西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 大貫雄也, 鎌田直樹, 下村和彦
  • Organizer: 電子情報通信学会技術研究報告
  • Place of Presentation: 機械振興会館, 東京
  • Year and Date: 2016-06-17
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜の接合強度およびPL強度の圧力依存性評価 (2016)
  • Author(s): 大貫雄也, 松本恵一, 岸川純也, 西山哲央, 鎌田直樹, 下村和彦
  • Organizer: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • Year and Date: 2016-03-21
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上InAs量子ドットの成長 (2016)
  • Author(s): 鎌田直樹, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 大貫雄也, 松本恵一, 下村 和彦
  • Organizer: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • Year and Date: 2016-03-21
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP-InPダブルヘテロレーザの低温発振特性 (2016)
  • Author(s): 西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 鋤柄俊樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 菅家智一,下村和彦
  • Organizer: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • Year and Date: 2016-03-20
• [Presentation] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価 (2016)
  • Author(s): 高野紘平, 荻野雄大, 朝倉啓太, 和保孝夫, 下村和彦
  • Organizer: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • Year and Date: 2016-03-20
• [Presentation] 自己触媒VLS法によるn-InP/i-GaInAs/p-InPコアシェルナノワイヤの電気特性評価 (2016)
  • Author(s): 朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
  • Organizer: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • Year and Date: 2016-03-19
• [Presentation] InP/Si直接貼付基板上へのInP系光デバイス集積化に関する研究 (2015)
  • Author(s): 下村和彦, 松本恵一
  • Organizer: 第23回シリコンフォトニクス研究会
  • Place of Presentation: 石川県政記念しいのき迎賓館, 金沢
  • Year and Date: 2015-12-10
  • Invited
• [Presentation] p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性 (2015)
  • Author(s): 鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦
  • Organizer: 第76回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • Year and Date: 2015-09-16
• [Presentation] 直接貼付InP/Si 基板上MOVPE 法によるGaInAsP-InP ダブルヘテロレーザの集積 (2015)
  • Author(s): 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 山元雄太, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 下村和彦
  • Organizer: 第76回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • Year and Date: 2015-09-16
• [Presentation] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤのTMI供給量依存性 (2015)
  • Author(s): 朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
  • Organizer: 第76回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • Year and Date: 2015-09-15
• [Presentation] InAs/InPダブルキャップ量子ドットレーザの閾値電流密度共振器長依存性 (2015)
  • Author(s): 西山哲央, 鋤柄俊樹, 鎌田直樹, 下村和彦
  • Organizer: 第76回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • Year and Date: 2015-09-14
• [Presentation] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤの光学特性評価 (2015)
  • Author(s): 荻野雄大, 朝倉啓太, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
  • Organizer: 第76回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • Year and Date: 2015-09-14
• [Presentation] 直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価 (2015)
  • Author(s): 岸川純也, 松本恵一, 下村 和彦
  • Organizer: 第76回応用物理学学術講演会
  • Place of Presentation: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • Year and Date: 2015-09-13
• [Presentation] Cavity length dependence on lasing characteristics of double-capped QDs laser (2015)
  • Author(s): T. Sukigara, Y. Yamamoto, T. Nishiyama, and K. Shimomura
  • Organizer: 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
  • Place of Presentation: Busan, Korea
  • Year and Date: 2015-08-27
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] PL emission of InP/GaInAs/InP core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode (2015)
  • Author(s): T. Ogino, K. Asakura, T. Waho, and K. Shimomura
  • Organizer: 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
  • Place of Presentation: Busan, Korea
  • Year and Date: 2015-08-27
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Characteristics of film InP layer and Si substrate bonded interface bonded by wafer direct bonding (2015)
  • Author(s): K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura
  • Organizer: 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
  • Place of Presentation: Busan, Korea
  • Year and Date: 2015-08-25
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] Epitaxial Grown GaInAsP-InP laser on wafer bonded InP/Si substrate (2015)
  • Author(s): K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, Y. Yamamoto, T. Sukigara, T. Nishiyama, and K. Shimomura
  • Organizer: 42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015)
  • Place of Presentation: Santa Barbara, CA, USA
  • Year and Date: 2015-07-01
  • Int'l Joint Research
• [Presentation] 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 (2015)
  • Author(s): 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 下村和彦
  • Organizer: 電子情報通信学会技術研究報告
  • Place of Presentation: 機械振興会館, 東京
  • Year and Date: 2015-06-19
• [Presentation] GaInAs/InP MQW light-emitting diode fabricated on wafer bonded InP/Quartz substrate (2015)
  • Author(s): K. Matsumoto, M. Takasu, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura
  • Organizer: Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015)
  • Place of Presentation: San Jose, CA, USA
  • Year and Date: 2015-05-15
  • Int'l Joint Research
• [Book] 量子ドット材料の技術と応用展開 (2017)
  • Author(s): 長谷川雅樹, 村瀬至生, 福田武司, 中村彰一, 伊藤義文, 小俣孝久, 磯由樹, 磯部徹彦, 森良平, 杉本泰, 藤井稔, 立間徹, 北原洋明, 齋藤健一, 大庭英樹, 下村和彦, 岡田至崇
  • Total Pages: 210
  • Publisher: 株式会社 情報機構
  • ISBN: 9784865021349
• [Remarks] 上智大学 下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
• [Remarks] 上智大学理工学部・機能創造理工学科 下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
• [Remarks] 上智大学下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/