| Project/Area Number |
16651074
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Microdevices/Nanodevices
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
下村 政嗣 北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (10136525)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
居城 邦治 北海道大学, 電子科学研究所, 教授 (90221762)
田中 賢 北海道大学, 創成科学共同研究機構, 科学技術振興研究員(特任助教授) (00322850)
藪 浩 (薮 浩) 北海道大学, 電子科学研究所, 助手 (40396255)
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| Project Period (FY) |
2004 – 2005
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2005)
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| Budget Amount *help |
¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Fiscal Year 2004: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
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| Keywords | ハニカム構造 / ピラー構造 / 自己組織化 / 鍍金 / 電解放出素子 / 電界放出素子 / ナノピラー / 無電解鍍金 / イオンスパッタリング |
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| Research Abstract |
本研究の課題は、水滴を鋳型として自己組織的に形成されるハニカム状多孔質膜の上面を粘着テープ等で剥離することで、突起状の構造体を形成し、これをメッキすることにより、電界放出素子への応用を検討することにある。
期間中にハニカム状多孔質膜の上面を剥離した後無電解メッキを行うことにより、銀等の金属からなるピラー状構造体が形成できることを見いだした。さらに無電会メッキの手法を応用することで、酸化亜鉛等の金属酸化物半導体をメッキできることを見いだした。これらの成果により特許を1報出願した。
さらに、単なる金薄膜あるいは作製した金属ナノピラー構造と、金をスパッタリングしたITO基板とを、100〜200μm程度のギャップを空けて設置し、減圧した後、その間に1〜100Vの電圧を引加した時に、どの程度電流が流れるかを、微小電流・抵抗測定器によって測定したところ、薄膜の場合よりもピラー構造の場合の方が、約3倍程度電流が流れることを見いだした。この成果により、特許を1報出願した。
以上の結果より、本研究課題の目標であった、自己組織化によるピラー構造の形成と、その金属化により、電界放出素子の作製の基本動作確認が出来た。
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