ナノ領域での物性制御と材料評価のための新しい高輝度スピン偏極電子源の開発
| Project/Area Number |
16656016
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Mie University |
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Principal Investigator |
畑 浩一 三重大学, 工学部, 助教授 (30228465)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
藤原 裕司 三重大学, 工学部, 助手 (90301225)
清水 哲夫 独立行政法人, 産業技術総合研究所・ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員 (40357215)
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| Project Period (FY) |
2004 – 2005
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2005)
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| Budget Amount *help |
¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Fiscal Year 2005: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 2004: ¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
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| Keywords | スピン偏極電子線 / 電界電子放出 / カーボンナノチューブ / スピントロニクス / 磁性体 / 電子源 |
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| Research Abstract |
本研究は,ナノ領域でのスピン物性研究に供する新しい高輝度スピン偏極電子源の開発を目的とし,Fe,Co,Ni等の強磁性体を中心空洞に内包したカーボンナノチューブ(CNT)あるいは強磁性体金属ナノワイヤーから電界放出された電子ビームのスピン偏極率を,Mott散乱法により調べるものである。これを達成するために,本年度は以下の項目について研究を行った。
(1)遷移金属(Fe,Co,Ni)単磁区内のスピン偏極した3d電子を電界放出させることに目的に,これら金属エミッタティップを電解研磨法で作製し,その先端の単磁区上に各種CVD法を駆使してカーボンナノチューブの選択成長を試みた。
(2)作製した試料ティップについて,電界放出/イオン顕微鏡法でナノチューブ先端表面のキャラクタライズを行うとと共に電子放出特性を評価している。
(3)放出電子のスピン偏極度を昨年度設備備品として購入したMottスピン検出器で測定し,偏極度の高いエミッタティップの作製条件を検討している。
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Report
(2 results)
Research Products
(6 results)
