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半導体デバイスのプロービングのためのソフトバンププロセス

Research Project

Project/Area Number 16760270
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electron device/Electronic equipment
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

片岡 憲一  東大, 先端科学技術研究センター, 助手 (50334347)

Project Period (FY) 2004 – 2005
Project Status Completed (Fiscal Year 2005)
Budget Amount *help
¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
Fiscal Year 2004: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Keywords電子デバイス / 半導体デバイス試験 / プロービング / 金属ペースト / 電気的コンタクト / インクジェット / バンプ / 接触抵抗
Research Abstract

本年度は、研究の目的であるソフトバンプのための材料の開発を中心に研究を行った。導電性を持ち、インクジェットなどの方法で半導体デバイス上に塗布することが可能な材料として、いくつかの材料メーカーが開発を行っている金属粒子を有機溶媒に分散させたものに着目した。「銀ペースト」あるいは「銀インク」として市販されているものを基に、濃度などを調整してソフトバンプとして使用可能な材料を作成した。材料の基本的な特性を測定するため、半導体デバイスの表面電極材料であるアルミ薄膜の上にソフトバンプ材料を塗布し、乾燥・焼成のプロセスによって導電性の薄膜を作製した。コンタクト力を制御できる接触抵抗測定装置を製作し、とふしたソフトバンプ材料の電気的コンタクト特性を測定した。その結果、1mN以下の低接触力で半導体デバイスのテストに十分な低い接触抵抗を得ることができることが明らかとなり、これらの材料がソフトバンプのために使用できる可能性のあることを示すことができた。塗布したソフトバンプ材料は超音波洗浄などを用いて除去することができた。しかし、電極上に残留する部分があり、完全に除去できなかったので、今後、溶媒の最適化を行う必要があると考えられる。また、低接触力のコンタクトにおいて最適なプローブ材料を選定するため、金、銀、タングステンを含む幅広い金属材料について、アルミ電極とのコンタクト特性の測定と、プローブの先端の変化の計測を行った。その結果、金、銀、白金がプローブ材料として優れていることが明らかとなった。

Report

(1 results)
  • 2004 Annual Research Report
  • Research Products

    (2 results)

All 2005

All Journal Article (2 results)

  • [Journal Article] 低接触力プロービングにおけるマイクロ現象(第2報)プローブ材料のコンタクト耐久性への影響2005

    • Author(s)
      片岡憲一, 伊藤寿浩, 須賀唯知
    • Journal Title

      2005年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

      Pages: 77-78

    • NAID

      130004657634

    • Related Report
      2004 Annual Research Report
  • [Journal Article] LSIプロービングのためのソフトバンププロセス2005

    • Author(s)
      東海林勇, 片岡憲一, 伊藤寿浩, 須賀唯知
    • Journal Title

      2005年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集

      Pages: 79-80

    • NAID

      130004657644

    • Related Report
      2004 Annual Research Report

URL: 

Published: 2004-04-01   Modified: 2016-04-21  

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