| Project/Area Number |
16F16076
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Structural/Functional materials
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
徐 超男 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 総括研究主幹 (70235810)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
TU DONG 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 製造技術研究部門, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2016-04-22 – 2018-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2017)
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| Budget Amount *help |
¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2017: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2016: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
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| Keywords | 応力消光 / 応力発光 / 光スイッチ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、応力消光と応力発光の技術を組み合わせ、機械的に誘起された新しい光スイッチを開発するとしている。具体的には、(1)新規応力消光材料の開発、(2)応力消光の原理分析(3)光スイッチの創出である。
新規応力消光材料の開発において、これまでに唯一の応力消光材料として、CaZnOS:Cuを開発した。また、遷移金属イオンAgを半導体材料CaZnOSの中に導入すると、応力消光の現象を示すことが発見された。更に、残光寿命を評価要素として導入し、CaZnOS:Cuの応力消光の性能を分析した。CaZnOS:Cuの残光寿命は応力消光強度と異なる、多重応力負荷により安定的である。残光寿命と応力発光強度と組み合わせると、高精度の応力センシングとフィードバック応力測定ができる。また、進捗にともない、無閾値の高感度な応力発光材料LiNbO3:Pr3+を開発できた。100μst以下の応力でも十分な応力発光強度を観察される。この研究成果は単細胞イメージングと低歪み応力探知等に応用可能である。
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| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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