| Project/Area Number |
16F16347
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 外国 |
|---|
| Research Field |
Organic and hybrid materials
|
|---|
| Research Institution | National Institute for Materials Science |
|---|
Principal Investigator |
若山 裕 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, グループリーダー (00354332)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
JEONG YESUL 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 外国人特別研究員
|
|---|
| Project Period (FY) |
2016-11-07 – 2018-03-31
|
| Project Status |
Discontinued (Fiscal Year 2017)
|
| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2016: ¥400,000 (Direct Cost: ¥400,000)
|
|---|
| Keywords | 薄膜トランジスタ / メモリ / 遷移金属カルコゲナイド / 強誘電性高分子 / 二次元原子膜 / 強誘電高分子 / メモリ－ / センサー |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
軽くて薄く、かつ柔軟で携帯できるようなセンサーやメモリの開発を目的にした。薄膜トランジスタを基本的な素子構造として、圧力や電力、光などに応答する機能性を探索した。具体的には遷移金属カルコゲナイドの中で最も重点的に研究が進められているMoS2（二硫化硫黄）をトランジスタチャネルとして用いた。さらに高分子の強誘電薄膜をゲート絶縁膜として用いることにより圧電性や焦電性を持たせ、その変化をトランジスタの特性変化として検知するようにした。まずはMoS2の成膜プロセスを確立するところから着手した。その結果、多段階の化学気相法でMoS2薄膜の成長条件を最適化し、トランジスタ動作することを確認した。強誘電性の高分子薄膜については成膜後の加熱処理条件を最適化することにより、結晶性の薄膜を成長させることができた。以上の成果によりセンサーおよびメモリ機能を持った薄膜トランジスタ開発の基礎をなすことができた。
|
| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
|
