| Project/Area Number |
16F16373
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Kochi University of Technology |
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Principal Investigator |
川原村 敏幸 高知工科大学, システム工学群, 教授 (00512021)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
DANG GIANG 高知工科大学, システム工学部, 外国人特別研究員
DANG Tai Giang 高知工科大学, 総合研究所, 外国人特別研究員
DANG THAI GIANG 高知工科大学, 総合研究所, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2016-10-07 – 2019-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2018: ¥400,000 (Direct Cost: ¥400,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2016: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Keywords | Mist CVD / Ga2O3 / HEMT / heterostructures / (Al xGa1-x)2O3, / α-Cr2O3 / (Cr xGa1-x)2O3 / MODFETs / 高移動度トランジスタ(HEMT) / コランダム構造酸化物 / 超広バンドギャップ / ミストCVD / ヘテロ構造 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / α-Ga2O3 / パワー素子 / ショットキー接合 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
最終年度残り5ヶ月にα-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3系HEMT作製を達成させる為、主にデバイス形成プロセスの構築を試みた。まずα-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜のパターン形成プロセスの選択や保護膜の選択と各種電極形成に関する研究を行った。α-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜の耐薬品性が非常に高く、そのパターン形成は困難であると考えられた。しかしながら、Ga2O3とAlとCrを混晶したGa2O3はそれぞれ異なる溶剤でエッチング(食刻)できる事を発見し、パターン形成プロセスを構築することが叶った。またショットキー電極としてRFスパッタリングを用いて形成したAgOがリフトオフプロセスによるパターン形成が可能かどうかを確認した。最終的にHEMT構造を形成し特性評価を行った。しかしながら、最適化までには至らなかった。
今後この2年間の研究を踏まえ、更に促進させていく予定である。
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| Research Progress Status |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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