| Project/Area Number |
16H03862
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Crystal engineering
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
Akasaka Tetsuya 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (90393735)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
熊倉 一英 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 特別研究員 (00393736)
後藤 秀樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主席研究員 (10393795)
西中 淳一 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究員 (40774625)
鈴木 恭一 福岡工業大学, 工学部, 准教授 (20393770)
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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| Budget Amount *help |
¥14,690,000 (Direct Cost: ¥11,300,000、Indirect Cost: ¥3,390,000)
Fiscal Year 2018: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2017: ¥7,540,000 (Direct Cost: ¥5,800,000、Indirect Cost: ¥1,740,000)
Fiscal Year 2016: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
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| Keywords | エピタキシャル成長 / 半導体物性 / 量子井戸 / 窒化物半導体 / 結晶成長 / 光デバイス / 電子デバイス |
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| Outline of Final Research Achievements |
We have proposed a novel molecular layer epitaxy for fabricating group-III-nitride-based hetero-structures having atomically smooth hetero-interfaces. We have also optimized growth conditions of InN thin films in metalorganic vapor phase epitaxy and succeeded in fabricating N-face GaN/InN/GaN double hetero-structures. We have fabricated GaN/AlN hetero-structures and observed the Landau level quantization by gate tuning, which is a clear evidence showing the high-quality hetero-interface in the GaN/AlN hetero-structure.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
窒化物半導体結晶は、シリコン等の従来の半導体結晶と比較して転位等の結晶欠陥密度が高いという問題があり、窒化物半導体薄膜の表面やヘテロ界面の平坦性が損なわれていた。本研究では、超平坦なヘテロ界面を形成可能な新原理に基づく結晶成長方法を提案した。また、結晶成長が極めて難しい窒化インジウムの結晶成長条件の最適化も行った。窒化インジウムと窒化ガリウム、および、窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの組み合わせからなる高品質なヘテロ構造も作製した。
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