| Project/Area Number |
16H05984
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
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| Research Collaborator |
Sugawara K.
Nagase K.
Yoshiike Y.
Takagi Y.
Tajiri H.
Nakatsuji K.
Hirayama H.
Maeda K.
Iwata K.
Sugimoto Y.
Abe M.
Pou P.
Perez R.
Jelinek P.
Morita S.
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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| Budget Amount *help |
¥25,220,000 (Direct Cost: ¥19,400,000、Indirect Cost: ¥5,820,000)
Fiscal Year 2017: ¥15,210,000 (Direct Cost: ¥11,700,000、Indirect Cost: ¥3,510,000)
Fiscal Year 2016: ¥8,450,000 (Direct Cost: ¥6,500,000、Indirect Cost: ¥1,950,000)
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| Keywords | 走査トンネル顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / 原子スイッチ / 原子操作 / 表面 / 薄膜 / 表面・界面物性 / 走査プローブ顕微鏡 / 超薄膜 / Dirac電子系 |
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| Outline of Final Research Achievements |
Scanning probe microscope is capable of observing an atom by using very sharp probe. Using the probe, the microscope can move an atom one by one. Here, we assembled a scanning probe microscope, and fabricated an atomic-size switch consisting of only four silicon atoms. It was found that two silicon atom switches were affecting each other when they were very close to each other.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
近年、半導体素子の微細化が急速に進んでいるが、そろそろ限界にきている。そのため、原子一つ一つから素子を組み立てるナノテクノロジーが注目されている。シリコン原子スイッチは原子数個でできていり、問題を根本的に解決する一歩となる可能性がある。さらに、相互作用があることから、原子レベルでの計算に応用できる。さらに、シリコンに代わる次世代材料であるグラフェンやトポロジカル絶縁体においても、その探求を行った。
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