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IV族強磁性半導体の物性機能の解明とスピン依存伝導素子への応用

Research Project

Project/Area Number 16J08275
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeSingle-year Grants
Section国内
Research Field Electronic materials/Electric materials
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

若林 勇希  東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特別研究員(DC2)

Project Period (FY) 2016-04-22 – 2018-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2016)
Budget Amount *help
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Keywordsトンネル磁気抵抗 / スピントロニクス / 強磁性半導体 / Ge
Outline of Annual Research Achievements

酸化物MgOをIV族強磁性半導体GeFe薄膜の上に成長し、トンネル磁気抵抗(TMR)素子を作製した。また、そのTMR素子の結晶性評価、トンネル伝導及び磁気抵抗の測定を行った。透過型電子顕微鏡(TEM)観察の結果から、単結晶エピタキシャルFe/MgO/GeFe多層構造が作製されていることを確認した。またそのトンネル抵抗はMgO障壁層の膜厚の増加によって指数関数的に大きくなることから、MgO障壁がトンネル障壁として機能していることを確認した。3.5Kでの磁気抵抗測定によって、上部Feと下部GeFe層の磁化の相対的な向きの変化に対応した明瞭なTMR効果の観測に成功した。IV族強磁性半導体を用いたTMR効果の観測は本研究が世界初である。以上の結果より、GeFe中のフェルミーエネルギー付近での伝導キャリアがスピン分極していることが示され、GeFeがスピントロニクス応用へ有望な材料であることが分かった。得られたTMR比は素子の微細化や、GeFe層中のFe原子濃度の増加によって上昇し、Fe原子濃度10.5%、素子サイズ5μmにおいて1.5%の値が得られた。
さらなるTMR比の上昇のためにはGeFeの電子構造の解明が必要不可欠であるが、角度分解光電子分光(ARPES)測定の結果から、GeFeの磁気特性は不純物バンドモデルで説明されることを明らかにした。また、ARPES測定によって得られたバンド構造と第一原理計算との比較から、GeFe中のスピン分極は約70%ほどと非常に大きな値を持つことが明らかになり、このことからもGeFeがスピントロニクス応用へ有望な材料であると言える。
その他の展開としては、Ge中にFeではなくMnを添加したグラニュラー薄膜GeMnやSi基板上にエピタキシャル成長したスピネルCoFe2O4に対するX線磁気円二色性測定を行い、その磁気特性や磁気抵抗の起源を明らかにした。

Research Progress Status

翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。

Report

(1 results)
  • 2016 Annual Research Report
  • Research Products

    (8 results)

All 2017 2016

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 3 results,  Open Access: 2 results,  Acknowledgement Compliant: 3 results) Presentation (3 results) (of which Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Origin of the large positive magnetoresistance of Ge1-xMnx granular thin films2017

    • Author(s)
      Y. K. Wakabayashi, R. Akiyama, Y. Takeda, M. Horio, G. Shibata, S. Sakamoto, Y. Ban, Y. Saitoh, H. Yamagami, A. Fujimori, M. Tanaka, and S. Ohya
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 95 Issue: 1 Pages: 144171-6

    • DOI

      10.1103/physrevb.95.014417

    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Origin of robust nanoscale ferromagnetism in Fe-doped Ge revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculation2017

    • Author(s)
      S. Sakamoto, Y. K. Wakabayashi, Y. Takeda, S.-i. Fujimori, H. Suzuki, Y. Ban, H. Yamagami, M. Tanaka, S. Ohya, and A. Fujimori
    • Journal Title

      Phys. Rev. B

      Volume: 95 Issue: 7 Pages: 752031-5

    • DOI

      10.1103/physrevb.95.075203

    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Electronic structure and magnetic properties of magnetically dead layers in epitaxial CoFe2O4/Al2O3/Si(111) films studied by X-ray magnetic circular dichroism2017

    • Author(s)
      Y. K. Wakabayashi, Y. Nonaka, Y. Takeda, S. Sakamoto, K. Ikeda, Z. Chi, G. Shibata, A. Tanaka, Y. Saitoh, H. Yamagami, M. Tanaka, A. Fujimori, and R. Nakane
    • Journal Title

      arXiv

      Volume: 2017

    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe2016

    • Author(s)
      Yuki Wakabayashi, Kohei Okamoto, Yoshisuke Ban, Shoichi Sato, Masaaki Tanaka, and Shinobu Ohya
    • Journal Title

      Appl. Phys. Express

      Volume: 9 Issue: 12 Pages: 1230011-4

    • DOI

      10.7567/apex.9.123001

    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] IV族強磁性半導体GeFeの物性解明と磁気トンネル接合2016

    • Author(s)
      Y. K. Wakabayashi
    • Journal Title

      応用電子物性分科会会誌

      Volume: 4 Pages: 143-143

    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] Electronic structure and magnetic properties of magnetic dead layers in epitaxial CoFe2O4/Al2O3/Si(111) films studied by X-ray magnetic circular dichroism (XMCD)2017

    • Author(s)
      若林勇希
    • Organizer
      2017年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜
    • Year and Date
      2017-04-14
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] Origin of the large magnetoresistance in Ge1-xFex granular films2016

    • Author(s)
      若林勇希
    • Organizer
      2016年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      新潟コンベンションセンター
    • Year and Date
      2016-09-13
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
  • [Presentation] IV族強磁性半導体Ge1-xFexの物性解明と磁気トンネル接合2016

    • Author(s)
      若林勇希
    • Organizer
      応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共催「スピントロニクス材料の新展開」
    • Place of Presentation
      首都大学東京 秋葉原サテライトキャンパス
    • Related Report
      2016 Annual Research Report
    • Invited

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Published: 2016-05-17   Modified: 2024-03-26  

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