| Project/Area Number |
16K05430
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Condensed matter physics II
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
Iguchi Satoshi 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (50431789)
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| Research Collaborator |
Yoneyama Naoki
Itoh Hirotake
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| Project Period (FY) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2018)
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| Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2018: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2016: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
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| Keywords | フィリング制御 / 電荷秩序 / 金属ー絶縁体転移 / πーd電子間相互作用 / 金属絶縁体転移 / バンドフィリング / πーd電子間相互 / 磁気誘電性 / 磁気輸送特性 / 有機分子性導体 / πーd相互作用 / 乱れ / 電子フィリング / 有機導体 / 物性実験 |
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| Outline of Final Research Achievements |
a''-(BEDT-TTF)2RbCo(SCN)4 is a newly found strongly correlated π-electron system with the BEDT-TTF molecule of +0.4 valence or 0.8 π-electron band-filling due to the non stoichiometric Rb. This compound is suitable for the investigation for the filling-controll type metal-insulator transition. We have investigated the metal-insulator transition and theπ-d electron correlation of this system and other similar ones. We found that the insulator phase in the compound is a charge ordered state with 0.4 average valence of BEDT-TTF molecules, and phase transition by pressure from metal to semiconductor even at room temperature.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
多くの2:1塩および関連物質の中では比較的例の少ないフィリング制御型の金属ー絶縁体転移について、その分子価数の変化とともにフィリングが3/4からずれていても電荷秩序相転移が生じることを見いだした。これによって、有機分子性導体における電子相関による金属ー絶縁体転移の理解が一層深まったと考えられる。また、近年注目されているBEDT-TTF塩の薄膜系におけるキャリアドーピング効果などにも有益な情報となるだろう。
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