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Development of highly sensitve UV sensing device with wide band gap semiconductor

Research Project

Project/Area Number 16K13792
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Allocation TypeMulti-year Fund
Research Field Particle/Nuclear/Cosmic ray/Astro physics
Research InstitutionIwate University

Principal Investigator

Narita Shinya  岩手大学, 理工学部, 教授 (80322965)

Research Collaborator YAMAGUCHI Eiichi  
Project Period (FY) 2016-04-01 – 2019-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2018)
Budget Amount *help
¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Keywordsフォトダイオード / 紫外光センサ / 化合物半導体 / アバランシェダイオード / 紫外光 / 窒化物半導体 / 酸化亜鉛 / 素粒子実験 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器
Outline of Final Research Achievements

We developed a highly sensitive UV sensing device with a wide-bandgap semiconductor. We fabricated photodiodes with various types of compound semiconductor, and measured the electrical properties and the spectral responsivity in UV region. Then, we optimized the condition of the substrate, the device design, and the fabrication process. As the result, we successfully developed an avalanche photodiode with SiC which indicated high sensitivity to the UV light. The device is expected to be applied to the sensor used in high energy physics, astronomy, and environmental measurements.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

素粒子物理学分野では、紫外光検出技術をベースとしたエネルギースペクトロメータやトラッキングデバイスが使用されているが、本研究で開発された高感度紫外光受光素子をそれら測定器に応用できれば、飛躍的な性能向上が期待され、目的とする物理事象観測の高精度化が実現できる。一方で、高感度紫外光素子の実用化が進めば、天文学分野での高感度天体計測機器、医療分野での高精度イメージングセンサ、環境科学分野での紫外線に対する新しい評価システムなど、様々な分野での革新的な波及効果が想定される。

Report

(4 results)
  • 2018 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2017 Research-status Report
  • 2016 Research-status Report
  • Research Products

    (3 results)

All 2018 2017 2016

All Presentation (3 results)

  • [Presentation] 化合物半導体による高感度紫外光センサの開発2018

    • Author(s)
      遠藤巧、成田晋也、根岸健太郎、遠藤治之、山口栄一
    • Organizer
      平成30年度電気関係学会東北支部連合大会
    • Related Report
      2018 Annual Research Report
  • [Presentation] Ⅲ族窒化物半導体を用いた高感度紫外光検出器の開発研究2017

    • Author(s)
      中里悠人、遠藤巧、成田晋也、根岸健太郎、遠藤治之、山口栄一
    • Organizer
      平成29年度電機関係学会東北支部連合大会
    • Related Report
      2017 Research-status Report
  • [Presentation] 極低温環境下で用いる紫外光センサの開発2016

    • Author(s)
      東海林諒、中里悠人、千葉寿、志田寛、成田晋也、根岸健太郎、遠藤治之、山口栄一
    • Organizer
      平成28年度電気関係学会東北支部連合大会
    • Place of Presentation
      東北工業大学(宮城県仙台市)
    • Year and Date
      2016-08-30
    • Related Report
      2016 Research-status Report

URL: 

Published: 2016-04-21   Modified: 2020-03-30  

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