| Project/Area Number |
17034058
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Tokyo University of Science |
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Principal Investigator |
二瓶 好正 東京理科大学, 理工学部, 教授 (10011016)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野島 雅 東京理科大学, 総合研究機構, 助手 (50366449)
尾張 真則 東京大学, 環境安全研究センター, 教授 (70160950)
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| Project Period (FY) |
2005 – 2006
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2006)
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| Budget Amount *help |
¥2,900,000 (Direct Cost: ¥2,900,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
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| Keywords | X線光電子回析 / Si(111) / X線光電子分光 / 低加速電子線回析 / 自己組織化 / ダイナミクス / 高速時間分解 / VOx / TiO_2(110) / 光電子分光 / 回折 / 高速・時間分解 / 表面反応 / 活性表面 |
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| Research Abstract |
表面反応機構・構造ダイナミクスの直接観察の系として、半導体結晶の固相エピタキシーの実時間計測を行った。具体的には、表面構造が無秩序になったSi(111)が加熱(約970K)環境下で再結晶化を起こす様子を極角si2p XPED測定によりリアルタイムに追跡した。加熱開始(0s)時には無かった[111]ピークは、時間が進行するのに伴い極角0°付近に形成されていく様子が確認された。このことより、加熱開始時には無秩序であった表面構造が、時間経過に伴い秩序性の高い安定した構造へ変化していることがわかる。今回の高速・時間分解XPED測定によるダイナミクス追跡の試みにより、固体の再結晶化開始温度と再結晶化過程の構造について状態を確認することができた。本装置の更なる測定迅速化を達成するために、計測制御系ソフトウエア改良によりデータ制御・転送のスループットを向上させ、XPED測定に伴い生じる計測時間のロスを短縮化を行った。それにより、触媒活性構造の形成に関するサブミリ秒で起こるダイナミックな化学状態変化などの表面化学過程を直接捕らえ、活性表面に関する基本的な構造を明らかにした。
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