| Project/Area Number |
17068013
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Review Section |
Science and Engineering
|
|---|
| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
|---|
Principal Investigator |
ISHIKAWA Hiroshi National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究センター長 (50392585)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MOZUME Teruo 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 主任研究員 (20399497)
NAGASE Masanori 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究員 (80399500)
KAWASHIMA Hitoshi 産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 主任研究員 (90356840)
SUGIMOTO Yoshimasa 産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 招聘研究員 (60415784)
IKEDA Noki 産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 特別研究員 (10415771)
AKIMOTO Ryoichi 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 主任研究員 (30356349)
GOZU Shin-ichro 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (90392729)
HAZAMA Toshifumi 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 副センター長 (90357765)
KUWATSUKA Haruhiko 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 研究チーム長 (40417150)
AKITA Kazumichi 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (50470050)
GUAN Lim Cheng 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (10470048)
OGASAWAR Takeshi 産業技術総合研究所, ネットワークフォトニクス研究センター, 特別研究員 (00392598)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2005 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥65,500,000 (Direct Cost: ¥65,500,000)
Fiscal Year 2008: ¥13,100,000 (Direct Cost: ¥13,100,000)
Fiscal Year 2007: ¥16,400,000 (Direct Cost: ¥16,400,000)
Fiscal Year 2006: ¥19,600,000 (Direct Cost: ¥19,600,000)
Fiscal Year 2005: ¥16,400,000 (Direct Cost: ¥16,400,000)
|
|---|
| Keywords | 量子井戸 / サブバンド間遷移 / 全光位相変調効果 / MBE / 超高速ゲートスイッチ / 超薄膜結合量子井戸 / 歪補償量子井戸構造 / バンドオフセット / 有効質量 / 周期構造 / ピコ秒 / 超高速光信号処理 / 超高速全光スイッチ / フォトリフレクタンス / 屈折率 / サブバンド間遷移スイッチ / InGaAs / AlAs / AlAsSb / 光閉じ込め / 歪補償 / 位相緩和時間 / 均一広がり / 不均一広がり / ドーピング濃度 |
|---|
| Research Abstract |
InGaAs/AlAsSb 系の超薄膜量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光ゲートスイッチの低エネルギー動作化を目指して、デバイス設計に必要な基礎物性パラメータの評価、高品質結晶の作成技術の研究開発を行い、160Gb/s領域で、2pJの低エネルギーで動作する全光変調位相変調効果を用いたサブバンド間遷移素子の基盤技術を確立した。また、周期構造を集積化することで位相変調効率を上げる構造を提案設計して、その製作技術を確立した。
|
