Understanding the dynamic behavior of blistering on the semiconductor surface and its application for nanofabrication
Project/Area Number |
17560025
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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Research Institution | Aichi Institute of Technology |
Principal Investigator |
IWATA Hiroyuki Aichi Institute of Technology, 工学部・電気学科, 講師 (20261034)
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Project Period (FY) |
2005 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥3,960,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2008: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2007: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2006: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
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Keywords | 水素イオン注入 / スマートカット / 透過型電子顕微鏡 / ブリスタリング / 結晶欠陥 / RBS / 格子欠陥 / ナノデバイス |
Research Abstract |
水素イオンが高濃度に注入された半導体シリコンに発生する結晶欠陥の性状を透過型電子顕微鏡観察から評価し、加熱による表面薄膜切り出し後の形状との関連性を詳細に調べた。少量の異種イオンの照射を併用し、現象の低温化を明らかにした. 加熱前後の試料内水素分布と欠陥分布の変化を検出した. 事前に試料表面に溝加工を施し、その後加熱処理を行うことにより, ナノオーダ精度で瞬時にナノ構造物を大量に作製する手法の取り掛かりとなる基礎的データを得た.
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Report
(5 results)
Research Products
(27 results)