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表面ホール電位分布計測による電子材料内部埋没構造のナノレベル透視技術の開発

Research Project

Project/Area Number 17760029
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Thin film/Surface and interfacial physical properties
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

有馬 健太  大阪大学, 大学院工学研究科, 助手 (10324807)

Project Period (FY) 2005 – 2006
Project Status Completed (Fiscal Year 2006)
Budget Amount *help
¥3,400,000 (Direct Cost: ¥3,400,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2005: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Keywords表面ホール電位分布 / ケルビン法 / ケルビンフォース顕微鏡 / 埋没構造 / ホール効果 / 半導体材料
Research Abstract

次世代の高性能電子デバイスを実現するためには、そこで用いられる各種電子材料の高性能化を実現する産業技術の確立、特に、電子材料内部の微視的な構造や電子状態を計測・評価できる技術の確立が求められる。そこで、電子材料の水平面内で直交する方向に電流と磁場を印加した際に、ホール効果によって現れる表面ホール電位分布をナノスケールの空間分解能で測定できる装置の開発を目指している。既に、電位検出機構にケルビン法を用いた基礎実験装置により、表面ホール電位の存在やその基礎特性の抽出を終えており、外部発表を行っている(2006年度:原著論文1件、国際会議発表2件、特許出願1件)。
本年度は、非接触原子間力顕微鏡(非接触AFM)の原理を表面ホール電位分布観察に応用した、新規の顕微鏡ステージの設計を行った。顕微鏡ステージが満たすべき仕様として、(1)非磁性体材料により構成されていること、(2)試料面内に電流印加ができること、(3)試料面内で電流印加と直交する方向に永久磁石の挿入が可能であること、(4)非接触AFM観察が可能であることを考慮し、製作を行った。また、計測に必要な制御回路系を整備した。次に、準備した顕微鏡システムの性能を評価するために、イオンビーム加工により表面に微細パターンを形成した半導体表面の非接触AFM観察を行った。これにより、本装置に採用している微動用ピエゾ素子の変位量較正を行った。さらに、電流印加や磁場印加時の半導体表面における非接触AFM観察を行い、高空間分解能での表面ホール電位分布観察を行うにあたって必要となる技術的・学問的な知見を得た。

Report

(2 results)
  • 2006 Annual Research Report
  • 2005 Annual Research Report
  • Research Products

    (7 results)

All 2006 2005

All Journal Article (6 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Surface Hall Potentiometry for Characterizing Semiconductor Films2006

    • Author(s)
      Kenta ARIMA, Kenji HIWA, Ryoji NAKAOKA, Mizuho MORITA
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      Pages: 3601-3605

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Journal Article] Line profile measurement of surface Hall potentials on Si samples2006

    • Author(s)
      Yuji Hidaka, Kenji Hiwa, Mizuho Morita, Kenta Arima
    • Journal Title

      PROGRAM and ABSTRACTS of Second International Symposium on Standard Materials And Metrology for Nanotechnology

      Pages: 26-26

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Journal Article] Development of Surface Hall Potentiometry for Characterizing Semiconductor Materials2006

    • Author(s)
      Yuji Hidaka, Kenji Hiwa, Mizuho Morita, Kenta Arima
    • Journal Title

      Extended Abstracts of the International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology

      Pages: 129-130

    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Journal Article] Development of Surface Hall Potentiometry to Characterize Semiconductor Films2006

    • Author(s)
      Kenji Hiwa, Ryoji Nakaoka, Mizuho Morita, Kenta Arima
    • Journal Title

      ABSTRACTS of Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium

      Pages: 91-91

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] Surface Hall Potentiometry to Characterize Functional Semiconductor Films2005

    • Author(s)
      Kenta Arima, Kenji Hiwa, Ryoji Nakaoka, Mizuho Morita
    • Journal Title

      Extended Abstracts of the 2005 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS

      Pages: 378-379

    • NAID

      10022541984

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Journal Article] 表面ホール電位測定による半導体材料の電気的性質の評価2005

    • Author(s)
      桧皮賢治, 仲岡亮史, 森田瑞穂, 有馬健太
    • Journal Title

      2005年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集

      Pages: 789-790

    • NAID

      130004657166

    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] SAMPLE OBSERVATION METHOD AND OBSERVATION DEVICE2006

    • Inventor(s)
      有馬健太
    • Industrial Property Rights Holder
      大阪大学
    • Filing Date
      2006-08-24
    • Related Report
      2006 Annual Research Report

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Published: 2005-04-01   Modified: 2016-04-21  

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