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有機薄膜電界効果トランジスタ界面への自己組識化単分子膜による変調と静電特性

Research Project

Project/Area Number 17760244
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electronic materials/Electric materials
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

小林 慎一郎  Tohoku University, 電気通信研究所, 産学連携研究員 (20361173)

Project Period (FY) 2005 – 2007
Project Status Completed (Fiscal Year 2007)
Budget Amount *help
¥3,700,000 (Direct Cost: ¥3,700,000)
Fiscal Year 2007: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2006: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2005: ¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
Keywordsナノ材料 / 表面・界面物性 / 静電特性 / 有機分子 / 非線形誘電率顕微鏡 / 静電容量 / 界面 / MIS構造 / 電界効果トランジスタ / ペンタセン
Research Abstract

Si(111)-7x7表面にフラーレン分子(C60)を超高真空下で蒸着した表面を新型の非接触型の顕微鏡である非接触型非線形顕微鏡(NC-SNDM)で観察した。その結果、単一のフラーレン分子がSi(111)-7x7表面のどのサイト(アドアトムとの位置関係)に位置するかでNC-SNDMの位相信号(電気双極子モーメントの上下が位相の0およびπに対応)が0とπに分かれる。具体的にはC60がSi(111)-7x7表面の3回対称サイト(3つのアドアトムによって形成される三角形の中心)でSi(111)-7x7表面とは反対の位相を示すことが分かってきた。これは現在のところ界面に誘起される下向きの電気双極子モーメントとSi(111)-7x7表面で誘起される上向きの電気双極子モーメントに由来すると考えられる。また、他の位置ではC60分子上で下向きの電気双極子モーメントは誘起されないと考えられるため、このような位相の反転は起きない。このようにNC-SNDMを用いると有機分子と基板との間の界面の状態の違いを2次元マッピングで観測できる可能性がある。また、NC-SNDMは測定方法が既存の顕微鏡とことなるため、単一のフラーレン分子の様子が今までの顕微鏡とは異なって観測される。実際には複雑な内部構造を示しており、詳細な解析が必要ではあるが新たな分子の評価方法の可能性を示している。このようにこの研究ではNC-SNDMを用いることで界面の新たな評価方法や分子の新たな観測の可能性を提示しており、ナノデバイスや界面物理に貢献できる研究成果である。

Report

(3 results)
  • 2007 Annual Research Report
  • 2006 Annual Research Report
  • 2005 Annual Research Report
  • Research Products

    (11 results)

All 2008 2007 2005

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (4 results) Patent(Industrial Property Rights) (6 results)

  • [Journal Article] 非接触型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)-7×7表面およびフラーレン分子の観察2008

    • Author(s)
      小林慎一郎、広瀬龍介、長康雄
    • Journal Title

      The Journal of the Vacuum Society of Japan (印刷中)

    • NAID

      10024858253

    • Related Report
      2007 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 非接触型非線形誘電率顕微鏡によるフラーレン分子の観察2008

    • Author(s)
      小林慎一郎、長康雄
    • Organizer
      2007年春季日本物理学会
    • Place of Presentation
      近畿大学
    • Year and Date
      2008-03-26
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] Single-Orgenic Molecule Observation using Non-contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2007

    • Author(s)
      S. Kobayashi and Y. Cho
    • Organizer
      The 10th International Conference on Non-Contact Atomic Force Microscopy
    • Place of Presentation
      Antalya, Turkey
    • Year and Date
      2007-09-18
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] 非接触型非線形誘電率顕微鏡によるSi(111)7x7構造上のC60分子の観察2007

    • Author(s)
      小林慎一郎、長康雄
    • Organizer
      2007年秋季日本応用物理学会
    • Place of Presentation
      北海道工業大学
    • Year and Date
      2007-09-07
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Presentation] Organic Surface Observation using Non-contact Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy2007

    • Author(s)
      S. Kobayashi and Y. Cho
    • Organizer
      IVC-17/ICSS-13 AND ICN+T 2007 CO-ORGANISED WITH NCSS-6/NSM-22/SVC-4
    • Place of Presentation
      Stockholm, Sweden
    • Year and Date
      2007-07-05
    • Related Report
      2007 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 有機半導体装置の閾値電圧の制御方法2005

    • Inventor(s)
      西川尚男, 小川智, 小林慎一郎, 岩佐義宏
    • Industrial Property Rights Holder
      セイコーエプソン株式会社
    • Filing Date
      2005-09-09
    • Acquisition Date
      2007-03-29
    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 有機半導体装置の製造方法2005

    • Inventor(s)
      西川尚男, 小林慎一郎, 岩佐義宏
    • Industrial Property Rights Holder
      セイコーエプソン株式会社
    • Filing Date
      2005-09-09
    • Acquisition Date
      2007-03-22
    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体素子の評価装置および評価方法、製造方法、ならびにプログラム2005

    • Inventor(s)
      西川尚男, 小林慎一郎
    • Industrial Property Rights Holder
      セイコーエプソン株式会社
    • Filing Date
      2005-09-08
    • Acquisition Date
      2007-03-22
    • Related Report
      2006 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体素子の評価装置および評価方法、製造方法、ならびプログラム2005

    • Inventor(s)
      小林 慎一郎, 田口 康二郎, 西川 尚男
    • Industrial Property Rights Holder
      セイコーエプソン
    • Industrial Property Number
      2005-261323
    • Filing Date
      2005-09-08
    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 有機半導体装置の閾値の制御2005

    • Inventor(s)
      小林 慎一郎, 田口 康二郎, 西川 尚男
    • Industrial Property Rights Holder
      セイコーエプソン
    • Industrial Property Number
      2005-262600
    • Filing Date
      2005-09-09
    • Related Report
      2005 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 有機半導体装置の閾値の制御2005

    • Inventor(s)
      小林 慎一郎, 田口 康二郎, 西川 尚男
    • Industrial Property Rights Holder
      セイコーエプソン
    • Industrial Property Number
      2005-262674
    • Filing Date
      2005-09-09
    • Related Report
      2005 Annual Research Report

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Published: 2005-04-01   Modified: 2016-04-21  

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