| Project/Area Number |
17H01228
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic industrial materials
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
細野 秀雄 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30157028)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松石 聡 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 准教授 (30452006)
飯村 壮史 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80717934)
金 正煥 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 助教 (90780586)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2018-03-31
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| Project Status |
Discontinued (Fiscal Year 2017)
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| Budget Amount *help |
¥43,160,000 (Direct Cost: ¥33,200,000、Indirect Cost: ¥9,960,000)
Fiscal Year 2017: ¥15,860,000 (Direct Cost: ¥12,200,000、Indirect Cost: ¥3,660,000)
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| Keywords | アモルファス / エレクトライド / 薄膜 / 半導体物性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
アモルファスC12A7エレクトライドの光学的・電気的性質を検討するために薄膜試料を作製した。具体的にはC１２A７エレクトライドの緻密なセラミックスターゲットをSPSで作製し、これを用いて高周波スパッターリングによってシリカガラス基板上に50-200nmの厚さの薄膜を堆積した。スパッターガスには１００％アルゴンを用いた。薄膜X線開設測定から試料はアモルファスであることを確認した。光学吸収を測定したところ、2eVと4eV付近に2つの吸収帯が観測された。結晶ではメインであった2eVの吸収帯は、アモルファス薄膜では強度が小さく,4eVバンドがメインとなった。その結果、アモルファス薄膜は透明性が高く、光学的用途には適していることが分かった。
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| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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