| Project/Area Number |
17K05042
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Crystal engineering
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| Research Institution | Ishinomaki Senshu University |
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Principal Investigator |
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
安田 隆 石巻専修大学, 理工学部, 教授 (90182336)
矢野 浩司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (90252014)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2021-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2020)
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| Budget Amount *help |
¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2019: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2017: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
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| Keywords | 酸化ガリウム / 酸化ニッケル / 結晶配向 / ｐｎ接合ダイオード / 結晶配向性 / ヘテロ接合ダイオード / スイッチング / ヘテロ構造 / 結晶工学 / 電子・電気材料 / 電子デバイス |
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| Outline of Final Research Achievements |
Cubic NiO thin films formed on monoclinic β-Ga2O3 substrates and monoclinic β-Ga2O3 thin films formed on cubic MgO (substitution of NiO) substrates were studied. The crystal orientation relationship between NiO and β-Ga2O3 was declared. For every cases, the relation of NiO (100)[011] //β-Ga2O3 (100)[001] was confirmed.
The hetero pn junction diodes based on NiO and β-Ga2O3 were fabricated. Rectification property and reverse breakdown voltage of about 1000V were achieved in the diode.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
酸化ガリウムは次世代のパワーデバイス用材料として注目されているが、ｐ形ができないため、デバイス構造が制限されている。ｐ形伝導性を示す酸化ニッケルがｐｎ接合を作るための有望な候補であり、ワイドバンドギャップのｐ形金属酸化物を使えるようにする価値は高い。
本研究では、ヘテロ接合を作るための結晶配向性に着目し、両者がどのような方向でも高い親和性をもつことを示した。さらに、酸化ガリウムと酸化ニッケルに基づくヘテロｐｎ接合ダイオードを実現し、その高い性能を実証した本研究の意義は大きい。
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