| Project/Area Number |
17K05043
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Crystal engineering
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| Research Institution | Aoyama Gakuin University |
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Principal Investigator |
KOH SHINJI 青山学院大学, 理工学部, 教授 (50323663)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2019)
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| Budget Amount *help |
¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2019: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2017: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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| Keywords | グラフェン / CVD / イリジウム / 基板再利用 / 化学気成長 / CVD成長 / ホール測定 / キャリア移動度 / CVD法 |
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| Outline of Final Research Achievements |
We focus on Iridium, which has high melting temperature and high chemical stability, as a metal catalyst for chemical vapor deposition (CVD) growth of graphene. We proposed that single crystalline graphene can be grown on a Iridium layer that is epitaxially deposited on a single crystalline sapphire substrate. The graphene sheet, which is grown on the Ir/sapphire substrates, can be transferred onto other insulator substrates by using an electrochemical transfer method. We previously proposed that the Ir/sapphire substrate can be used repeatedly as a substrate for graphene CVD growth after the transfer. In this study, we succeeded in the development of fabrication technologies of the Ir/sapphire substrates which have excellent re-usability in graphene CVD growth and transfer processes.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
本研究では、高い再利用性を持つ単結晶イリジウム／サファイア基板の作製技術を確立することができた。これをさらに研究展開し、単結晶イリジウム下地上に完全な単結晶性を持つグラフェンをCVD成長する技術が確立できれば、グラフェンの物性を100%活用できる単結晶グラフェンシートを大面積でCVD成長する技術へとつながる。サファイア基板は現状で最大6インチであり、かつ、本研究で基板再利用技術が確立されたことから、6インチのグラフェンシートを同一基板上に何回でもCVD成長させることができる技術、すなわち、高品質なグラフェンシートを大量生産する技術へと展開できる。
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