A new fabrication technique of AlN/sapphire template
| Project/Area Number |
17K06795
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic materials/Physical properties
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2019)
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| Budget Amount *help |
¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2019: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Fiscal Year 2018: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Fiscal Year 2017: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
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| Keywords | 窒化アルミニウム / 溶液成長 / 窒化物半導体 / テンプレート基板 / 結晶成長 / 結晶工学 |
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| Outline of Final Research Achievements |
In the present research, a new solution growth technique to make AlN/sapphire template was studied. Specifically, the following growth process was examined: (1) Al sputtering on sapphire substrate, (2) filling of Li3N particles on the Al/sapphire template, and (3) annealing of the material to make AlN/sapphire template. The results suggest that (A) the source material should be Al and Li3N complex instead of a simple Li3N, and (B) annealing temperature should be around 1250 degree C are necessary to make AlN/sapphire template by this technique.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
深紫外の高輝度光源、特に発光波長260nm以下の光源は細菌のDNA破壊に有効なため殺菌・浄水用光源として利用されている。現状では水銀灯タイプの光源が用いられているが、環境負荷の低減および小型化の観点から代替となるAlGaN深紫外LED（Light Emitting Diode）の開発が進められている。しかし、AlGaN深紫外LED素子の基板材料には昇華法あるいはHVPE法により作製された高価なAlN結晶または厚膜が用いられているため、低コスト化が困難である。本研究では、素子の低コスト化に資するAlN/サファイアテンプレートの新規作製方法を提案した。
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Report
(4 results)
Research Products
(9 results)
