Silicene surrounded by oxide -quality improvement and its application to transistors
Project/Area Number |
17KK0125
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Research Category |
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Research Field |
Nanomaterials engineering
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
小川 修一 東北大学, 国際放射光イノベーション・スマート研究センター, 助教 (00579203)
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Project Period (FY) |
2018 – 2023
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2022)
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Budget Amount *help |
¥13,910,000 (Direct Cost: ¥10,700,000、Indirect Cost: ¥3,210,000)
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Keywords | Si熱酸化 / 二次元層状物質 / 界面酸化 / 点欠陥 / リアルタイム光電子分光 / グラフェン / 酸化自己停止 / 熱酸化プロセス / シリセン / 光電子顕微鏡 / 酸化反応自己停止 / 電気・電子材料 / 電子・電気材料 |
Outline of Annual Research Achievements |
ケイ素(Si)原子1層の層状物質であるシリセンはトポロジカル絶縁体であることが予想されており、次世代の高速・省エネデバイスへの活用が期待される。基課題では、熱酸化プロセスにおける酸化反応自己停止を用いることで、酸化膜で囲まれたシリセン(シリセンインオキサイド:SIO)を作製することを目指している。本研究ではSIO構造の高品質化を目的として、Siウェハ酸化メカニズムの解明と電気特性測定結果をもとにした界面欠陥評価方法の開発を行う。開発した評価方法を用いて得た欠陥の情報をSIO構造作製プロセスにフィードバックし、界面欠陥の少ないSIO作製プロセスの開発を目指すことを目的とする。2022年度は新型コロナウイルス感染拡大による影響が一部緩和されたものの、引き続き海外研究機関に渡航することが叶わなかった。本目的を達成するための代替手段として国内で実施可能な研究を進め、以下の成果を得た。 1)キャリアトラップによる界面欠陥活性化プロセスの解明:Siウェハの熱酸化時に生成される点欠陥にSiウェハのキャリアがトラップされることによって点欠陥が化学的に活性となり、SiO2/Si界面での反応が促進されることを明らかにした。本研究によれば、高品質SOI構造作製のためにはキャリア密度の少ないSIO基板の利用が有用であると予測される。 2) SiO2/Si界面反応における準安定状態O2分子の存在証明:界面に存在する欠陥にO2分子がトラップされる際、準安定状態になっていることを光電子分光により証明した。準安定O2分子はSi表面での酸化過程でも存在することが既報である。このことはSiO2/Si界面酸化をSi表面酸化のアナロジーとして考察できることを示しており、Si表面酸化の研究を進めることが界面酸化停止条件の探索に有用であると期待される。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
新型コロナウィルス感染拡大に伴い海外機関への渡航が叶わなかったものの、Si酸化自己停止条件探索の要となる成果を挙げることができた。このことを総合的に勘案しおおむね順調に進展していると考えられる。
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Strategy for Future Research Activity |
本年度得られたキャリア密度に依存するSiO2/Si界面酸化速度の研究成果をもとに、低キャリア密度基板を利用することでSiO2/Si界面の欠陥を低減できるという仮説の実証実験を進める。またこの条件で形成したSiO2/Si界面の欠陥密度が減少していることを電気的特性評価からも検証したい。 またこれまでの研究を取りまとめ、Si基盤酸化の自己停止現象の解明と欠陥密度が低いSiO2/Si界面京成条件の指針を得る。
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Report
(5 results)
Research Products
(50 results)
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[Presentation] 光電子ホログラフィーを用いたSi(111)-7×7表面の初期酸化構造解析2021
Author(s)
竹内走一郎 , 古賀峻丞 , 田中晶貴 , 孫澤旭 , 津田泰孝 , 小川修一 , 髙桑雄二 , 橋本由介 , 室隆桂之 , 吉越章隆 , 松下智裕
Organizer
日本物理学会2021年秋季大会
Related Report
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[Presentation] Initial oxidation structure analysis of Si(111)-7×7 surface2021
Author(s)
Takeuchi Soichiro , Akitaka Yoshigoe , Yasutaka Tsuda , Yusuke Hashimoto , Shuichi Ogawa , Yuji Takakuwa , Syunjo Koga , Masaki Tanaka , Sun Zexu , Tomohiro Matsushita
Organizer
13th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '21
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Int'l Joint Research
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