Project/Area Number |
18041008
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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Allocation Type | Single-year Grants |
Review Section |
Science and Engineering
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Research Institution | Kyoto University |
Principal Investigator |
酒井 明 Kyoto University, 工学研究科, 教授 (80143543)
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Project Period (FY) |
2006 – 2007
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2007)
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Budget Amount *help |
¥4,100,000 (Direct Cost: ¥4,100,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 2006: ¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
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Keywords | 単分子接合 / 高バイアス破断 / 電流-電圧特性 / ベンゼンジチオール(BDT) / ビピリジン(BPY) / 機械制御破断接合(MCBJ) / ナノリンク分子 / MCBJ / BDT / コンダクタンス / 分子架橋 |
Research Abstract |
本研究は1個の分子を金属電極間に架橋させた「ナノリンク分子」を形成し,その高バイアス/高電流下における不安定化現象を実験的に考究するとともに,破断電圧/電流のデータベースを構築することを目的としている.平成19年度は18年度に行ったベンゼンジチオール(BDT)単分子架橋の実験をビピリジン(BPY)に拡張し,コンダクタンスやI-V特性,および破断,に関して以下の成果を得た. 1.室温でMCBJの金電極にBPY単分子を架橋し,そのコンダクタンス測定を行った.BPYはBDTよりも安定な架橋を得る頻度が少なく,コンダクタンスヒストグラムもそれほど明瞭なピークを示さない.0.01GO付近にブロードなピークが観測され,この値は従来報告されているBPY単分子のコンダクタンスの実験値とほぼ一致していることから,この0.01GO状態がBPY単分子の架橋状態に対応していると推定される. 2.接合が0.01GO状態に達した時に,接合状態を保持したままバイス電圧をスイープしてI-V測定を行った.I-V曲線はBDTのI-V曲線とは少し形状が異なり,3次関数では記述できない.またBDTの0.01GO状態の場合よりも低い電圧で電流が立ち上がる傾向を示している. 3.首都大学東京の杉浦先生から試料を提供いただいて,数種類のポルフィリン分子のコンダクタンス測定を行った.コンダクタンスプラトーは時折観測されるもののヒストグラムに明瞭なピークを示すことはない.しかし(0.005〜0.02)GOの範囲に小さな構造が観察され,単分子コンダクタンスに対応している可能性がある.
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Report
(2 results)
Research Products
(14 results)