| Project/Area Number |
18063013
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HORI Masaru 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (80242824)
高木 信一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30372402)
益 一哉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (20157192)
宮崎 誠一 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
TAKAGI Shinichi 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (30372402)
MASU Kazuya 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (20157192)
MIYAZAKI Seiichi 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
HIRAMOTO Toshiro 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
TABATA Hitoshi 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00263319)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2010
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2010)
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| Budget Amount *help |
¥50,800,000 (Direct Cost: ¥50,800,000)
Fiscal Year 2010: ¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
Fiscal Year 2009: ¥12,200,000 (Direct Cost: ¥12,200,000)
Fiscal Year 2008: ¥10,200,000 (Direct Cost: ¥10,200,000)
Fiscal Year 2007: ¥18,200,000 (Direct Cost: ¥18,200,000)
Fiscal Year 2006: ¥7,200,000 (Direct Cost: ¥7,200,000)
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| Keywords | シリコンULSI / MOSFET / スケーリング則 / ポストスケーリング技術 / 電子デバイス / 半導体超微細化 / デバイス設計・製造プロセス・超薄膜 / ナノ材料 / ナノCMOS / ナノデバイスインテグリティ / 特性ばらつき / デバイス設計・製造プロセス / 超薄膜 |
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| Research Abstract |
現代の情報・通信技術の中核をなすシリコンULSIにおいては、基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上技術に限界が見えはじめ、デバイスにおける材料物性的限界、種々な揺らぎによる精度・性能限界、集積度増加による発熱量・消費電力の限界等の顕在化により、デバイスのインテグレーションや高性能化が困難になりつつある。この問題に対して本特定領域研究ではMOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』として新しい指導原理を導入することを目的として平成18年度に発足した。そこで、本研究課題(終了領域研究)ではこの4年間に得られた多くの成果を広く社会に還元することを目的として、下記の国際シンポジウムの主催と欧文雑誌での公表、また、研究成果の取りまとめを行った。
・シンポジウム名称:International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
・会場:東京工業大学・蔵前会館
・日程:2010年6月3日～5日
・招待講演者:海外4件、国内5件
・参加者数:132名
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