| Project/Area Number |
18206003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
NANISHI Yasushi Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NAOI Hiroyuki 立命館大学, COE推進機構, 研究員 (10373101)
NA Hyunseok 立命館大学, COE推進機構, 研究員 (80411239)
ARAKI Tsutomu 立命館大学, 理工学部, 准教授 (20312126)
AOYAGI Yoshinobu 立命館大学, COE推進機構, 教授 (70087469)
YAMAGUCHI Tomohiro 立命館大学, 総合理工学・研究機構, 研究員 (50454517)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
KANEKO Masamitsu 立命館大学, 総合理工学・研究機構, ポスドク研究員 (70374709)
WANG Ke 立命館大学, 総合理工学・研究機構, ポスドク研究員 (60532223)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥50,700,000 (Direct Cost: ¥39,000,000、Indirect Cost: ¥11,700,000)
Fiscal Year 2008: ¥7,410,000 (Direct Cost: ¥5,700,000、Indirect Cost: ¥1,710,000)
Fiscal Year 2007: ¥7,410,000 (Direct Cost: ¥5,700,000、Indirect Cost: ¥1,710,000)
Fiscal Year 2006: ¥35,880,000 (Direct Cost: ¥27,600,000、Indirect Cost: ¥8,280,000)
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| Keywords | エピタキシャル成長 / 窒化インジウム / 分子線エピタキシー / 分子線エピタキシー法 / p型ドーピング / ヘテロ界面 / インターミキシング / オーミックコンタクト / InN / InGaN / RF-MBE / p形ドーピング / MIS構造 / 窒素ラジカル / キャリア濃度 / 結晶性 |
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| Research Abstract |
RF-MBE法を用いたInNとその関連混晶の成長に特有な本質的課題(結晶高品質化とp型の実現、接合の形成、ヘテロ・ナノ構造制御等)に取り組み、デバイス応用へ向けた光・電子物性制御の基本検討を実施した。高In組成InGaNへのMgドーピングによるp型伝導制御、InN MISダイオードおよびオーミック電極特性、GaN/InN、AlN/InNヘテロ界面におけるインターミキシングに関する知見を得た。
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