Creation of tensile-strained Ge high-mobility-channel by thermal nonequilibrium process
| Project/Area Number |
18206005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
ZAIMA Shigeaki Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NAKATSUKA Osamu 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 講師 (20334998)
KONDO Hiroki 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50345930)
OGAWA Masaki 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (10377773)
SAKAI Akira 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20314031)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥50,310,000 (Direct Cost: ¥38,700,000、Indirect Cost: ¥11,610,000)
Fiscal Year 2008: ¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2007: ¥12,220,000 (Direct Cost: ¥9,400,000、Indirect Cost: ¥2,820,000)
Fiscal Year 2006: ¥31,590,000 (Direct Cost: ¥24,300,000、Indirect Cost: ¥7,290,000)
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| Keywords | ゲルマニウム / 錫 / 水素 / 表面・界面物理 / 走査トンネル顕微鏡 / エピタキシャル成長 / 酸化現象 / ひずみ / 半導体工学 / 結晶工学 / 格子欠陥 / IV族半導体 |
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| Research Abstract |
LSI用高移動度材料として期待されるGeおよび伸長歪Geチャネルの実現に向けて、Ge表面処理技術、および高品質Ge_(1-x)Sn_xバッファ層形成の基礎的指針となる、Ge表面初期酸化過程、およびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造を、主に走査トンネル顕微鏡を用いて観察評価した。酸素分圧に対する表面酸化とエッチングモードの競合、Ge表面へのSn導入による異方性再構成構造の形成を見出した。さらに、水素・重水素照射によるSnおよびGe_(1-x)Sn_x初期成長構造の制御を実証し、Ge_(1-x)Sn_x層成長技術の構築に貢献する知見を得た。
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Report
(4 results)
Research Products
(20 results)
