Development of topography-sensitive nano device processing aided by in-situ ellipsometry in supercritical fluids
Project/Area Number |
18206031
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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Research Institution | University of Yamanashi |
Principal Investigator |
KONDOH Eiichi University of Yamanashi, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (70304871)
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥24,050,000 (Direct Cost: ¥18,500,000、Indirect Cost: ¥5,550,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2007: ¥16,510,000 (Direct Cost: ¥12,700,000、Indirect Cost: ¥3,810,000)
Fiscal Year 2006: ¥5,460,000 (Direct Cost: ¥4,200,000、Indirect Cost: ¥1,260,000)
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Keywords | 超臨界流体 / エリプソメトリー / 薄膜堆積 / スーパーミクロ細孔 / エリプソメトリ / 吸着 / 多孔質薄膜 / その場観測 / ナノ構造 / 自己整合 / ボトムアップ |
Research Abstract |
超臨界流体は気体と液体の中間の性質を有する高密度の溶媒である。超臨界流体中に有機金属錯体を溶解し反応により固体を析出させると細孔内へ原料が凝集して細孔内にのみ選択的に物質を充填でき, 微細プロセス限界を凌駕できると期待できる。本研究ではこの現象を理解するため, 超臨界流体中での吸着・凝集現象を観測する超臨界エリプソメトリーを構築した。実際に凝集の観測に成功するとともに, サブナノ細孔の評価にも適用した。また堆積の評価も行った。
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Report
(4 results)
Research Products
(69 results)