Carrier Accumulation Control in Semiconductors and Nonvolatile Memory Application with Organic Ferroelectric Dipoles
| Project/Area Number |
18206033
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
MATSUSHIGE Kazumi Kyoto University, 大学院・工学研究科, 教授 (80091362)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ISHIDA Kenji 神戸大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20303860)
KOBAYASHI Kei 京都大学, 産官学連携センター, 助教 (40335211)
KUWAJIMA Shuichiro 京都大学, 大学院・工学研究科, 講師 (80397588)
NODA Kei 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30372569)
山田 啓文 京都大学, 工学研究科, 准教授 (40283626)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥49,790,000 (Direct Cost: ¥38,300,000、Indirect Cost: ¥11,490,000)
Fiscal Year 2008: ¥9,620,000 (Direct Cost: ¥7,400,000、Indirect Cost: ¥2,220,000)
Fiscal Year 2007: ¥13,910,000 (Direct Cost: ¥10,700,000、Indirect Cost: ¥3,210,000)
Fiscal Year 2006: ¥26,260,000 (Direct Cost: ¥20,200,000、Indirect Cost: ¥6,060,000)
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| Keywords | 強誘電体 / 有機分子 / 不揮発メモリ / 界面 / トランジスタ型メモリ / ナノデバイス / 空乏層 / 半導体 / 不揮発性メモリ |
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| Research Abstract |
本研究では、次世代不揮発メモリとして極めて有望な、金属/強誘電体/半導体(MFS)構造を有する電界効果トランジスタ(FET)の開発を、有機強誘電体材料を用いて推し進めた。その結果、従来は困難であったシリコン基板表面への強誘電体膜の直接堆積や強誘電体の分極反転に伴うFETのON/OFFスイッチングの実現に至った。また、走査型プローブ顕微鏡を援用した新しいプローブゲート方式のトランジスタ型強誘電体メモリを提案し、その動作を実証した。
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Report
(4 results)
Research Products
(37 results)
