Sublattice Engineering of Environmentally-Friendly Thermoelectric Silicide Semiconductors
Project/Area Number |
18206074
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Structural/Functional materials
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Research Institution | Kyoto University |
Principal Investigator |
INUI Haruyuki Kyoto University, 大学院・工学研究科, 教授 (30213135)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KISHIDA Kyosuke 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20354178)
TANAKA Katsushi 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30236575)
OKAMOTO Norihiko 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60505692)
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥50,180,000 (Direct Cost: ¥38,600,000、Indirect Cost: ¥11,580,000)
Fiscal Year 2008: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Fiscal Year 2007: ¥11,180,000 (Direct Cost: ¥8,600,000、Indirect Cost: ¥2,580,000)
Fiscal Year 2006: ¥29,250,000 (Direct Cost: ¥22,500,000、Indirect Cost: ¥6,750,000)
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Keywords | 熱電変換材料 / 無次元性能指数 / ゼーベック係数 / 電気伝導度 / 熱伝導度 / 微細組織 / ラットリング / 透過電子顕微鏡法 / 透過電子権顕微鏡法 |
Research Abstract |
Re, Ruのシリサイドに注目して, これらシリサイドのシリコン副格子(サブラティス)の配列の多様性に基づいた特異な微細組織を制御して, その特性改善および新たな物質探索, 特性向上の指導原理の確立を目指した.「金属副格子を一定に保つことによって電気伝導を低減することなく, Si副格子のナノ・スケール変調から生じる相界面により熱伝導を低減する」サブラティス・エンジニアリングがこれらの目的に有用であることを明らかにした.
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Report
(4 results)
Research Products
(103 results)