| Project/Area Number |
18206076
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Material processing/treatments
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
AKAHASHI Yasuo Osaka University, 先端科学イノベーションセンター, 教授 (80144434)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NOGI Kiyoshi 大阪大学, 接合科学研究所, 教授 (40029335)
MAEDA Masakatsu 大阪大学, 先端科学イノベーション, 助教 (00263327)
MATSUSAKA Souta 千葉大学, 工学部, 助教 (30334171)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥49,660,000 (Direct Cost: ¥38,200,000、Indirect Cost: ¥11,460,000)
Fiscal Year 2008: ¥11,570,000 (Direct Cost: ¥8,900,000、Indirect Cost: ¥2,670,000)
Fiscal Year 2007: ¥17,420,000 (Direct Cost: ¥13,400,000、Indirect Cost: ¥4,020,000)
Fiscal Year 2006: ¥20,670,000 (Direct Cost: ¥15,900,000、Indirect Cost: ¥4,770,000)
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| Keywords | 環境調和 / パワーデバイス / ナノ / 界面 / 接合 / インターコネクション超音波接合 / 電子実装 / インターコネクション / 化合物半導体 / 炭化珪素 / 窒化ガリウム / 配線接合 / 反応拡散 |
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| Research Abstract |
電力効率アップのための次世代電子デバイス,化合物半導体SiC, GaN電極形成とその配線接合機構の解析を実施した.SiCに関しては,6H-SiCを用い,SiC/Ti/Al二層膜の二段昇温法を提案し,その際,生じる界面反応機構の解析を行った.その結果,Ti3SiC2(t1)相がほぼ均一に層形成する機構を見出した.GaNに関しては,p-GaNにおいて,Ni電極反応の結果,気孔(N2ガス)が電極界面に発生することを見出し,その機構を論じた.n-GaNにおいては,GaN/Ti/Al/Ni/Au膜との高温反応(873K)によってTiN薄膜が形成する機構を解析し,電子顕微鏡的に考察し,その条件最適化を論じている.一方,パワーデバイスに使用されるAl太線超音波配線接合プロセスに関して,接合面を直接その場観察した.半導体電極形成プロセスから第一実装への固相接合条件の最適化を検討している.
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