Control of magnetism of ferromagnetic semiconductors by co-doping and its application to an electric-control magnetic device
| Project/Area Number |
18360006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | University of Tsukuba |
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Principal Investigator |
TAKITA Koki University of Tsukuba, 名誉教授 (00011213)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KURODA Shinji 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40221949)
TAKAMASU Tadashi 筑波大学, 物質・材料研究機構量子ドットセンターグループリーダー (60212015)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥17,350,000 (Direct Cost: ¥14,800,000、Indirect Cost: ¥2,550,000)
Fiscal Year 2008: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2007: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000)
Fiscal Year 2006: ¥6,300,000 (Direct Cost: ¥6,300,000)
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| Keywords | スピントロニクス / 強磁性半導体 / 分子線エピタキシー / 不純物ドーピング / フェルミ準位 / 電界効果トランジスター / 磁性制御 / キャリアドーピング / クラスター / 自己形成ドット |
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| Research Abstract |
強磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける荷電性の不純物ドーピングによる磁性の変化を調べた。(Zn,Cr)Teにアクセプター性不純物である窒素をドープすると強磁性が抑制されるが、分子線エピタキシー法により成長した窒素ドープ(Zn,Cr)Teにおいて、窒素のドーピング量と強磁性特性との定量的関係より、窒素ドーピングに伴うCrイオンの価数変化と強磁性抑制との関係を解析し、この系の強磁性メカニズムについての考察を行った。さらに、(Zn,Cr)Te層と非磁性半導体である窒素ドープ(Zn,Mg)Te層からなるρ型の変調ドープヘテロ構造を作製し、ヘテロ界面に生成される2次元正孔により(Zn,Cr)Te層の強磁性が抑制されることを明らかにした。
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Report
(4 results)
Research Products
(71 results)
