Development of High-brightness Spin Polarized Electron Source
| Project/Area Number |
18360023
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Mie University |
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Principal Investigator |
HATA Koichi Mie University, 大学院・工学研究科, 准教授 (30228465)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SHIMIZU Tetsuo (独)産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員 (40357215)
SATO Hideki 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (40324545)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥17,110,000 (Direct Cost: ¥15,400,000、Indirect Cost: ¥1,710,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2007: ¥5,460,000 (Direct Cost: ¥4,200,000、Indirect Cost: ¥1,260,000)
Fiscal Year 2006: ¥9,700,000 (Direct Cost: ¥9,700,000)
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| Keywords | スピン偏極電子源 / 電界電子放出 / スピントロニクス / ハーフメタル / ホイスラー合金 / 強磁性体 / マグネタイト / Verwey転移 / カーボンナノチューブ / 磁性体 |
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| Research Abstract |
カーボンナノチューブ(CNT)成長の触媒金属になり得るハーフメタル強磁性体からの電界放出電子のスピン偏極度の測定を行った。Co2MnSi薄膜表面からの電界放出電子のスピン偏極度は、室温で10~47%の高い値で得られた。また<110>配向単結晶マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のスピン偏極度は、Verwey転移温度で約5%から最大14%まで増加した。以上の結果から、ハーフメタル材料は電界放出型スピン偏極電子源の陰極材料として適していることが示唆され、またこれらハーフメタルを触媒に用いたCNTには、スピン注入が行える可能性が示された。
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Report
(4 results)
Research Products
(39 results)
