| Project/Area Number |
18360026
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
|
|---|
| Research Institution | Japan Aerospace Exploration Agency |
|---|
Principal Investigator |
HIROSE Kazuyuki Japan Aerospace Exploration Agency, 宇宙科学研究本部, 准教授 (00280553)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
服部 健雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
小林 大輔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)
|
|---|
| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
NOHIRA Hiroshi 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
HATTORI Takeo 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
KOBAYASHI Daisuke 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2006 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥12,680,000 (Direct Cost: ¥11,300,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Fiscal Year 2006: ¥6,700,000 (Direct Cost: ¥6,700,000)
|
|---|
| Keywords | 界面 / 誘電率 / 光電子分光 / シリコン / 酸化膜 / 表面 / 薄膜 / 第一原理計算 |
|---|
| Research Abstract |
CMOS集積回路開発のために、高誘電率絶縁膜とSi基板との間に極薄SiO_2膜を挟むトランジスターの積層ゲート絶縁膜構造が検討されている。高輝度の硬X線源と高分解能の光電子分光アナライザーを合わせ持つSPring-8のビームラインを利用して、Si2p光電子スペクトルとともに、これまで議論されてこなかったSi1s光電子スペクトルを測定することで、この中間極薄SiO_2膜の光学的誘電率がバルクSiO_2と異なることを定量的に明らかにした。
|
