Study on dielectric constant of ultrathin films in gate structures
| Project/Area Number |
18360026
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Japan Aerospace Exploration Agency |
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Principal Investigator |
HIROSE Kazuyuki Japan Aerospace Exploration Agency, 宇宙科学研究本部, 准教授 (00280553)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
服部 健雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
小林 大輔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
NOHIRA Hiroshi 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
HATTORI Takeo 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
KOBAYASHI Daisuke 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥12,680,000 (Direct Cost: ¥11,300,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Fiscal Year 2006: ¥6,700,000 (Direct Cost: ¥6,700,000)
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| Keywords | 界面 / 誘電率 / 光電子分光 / シリコン / 酸化膜 / 表面 / 薄膜 / 第一原理計算 |
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| Research Abstract |
CMOS集積回路開発のために、高誘電率絶縁膜とSi基板との間に極薄SiO_2膜を挟むトランジスターの積層ゲート絶縁膜構造が検討されている。高輝度の硬X線源と高分解能の光電子分光アナライザーを合わせ持つSPring-8のビームラインを利用して、Si2p光電子スペクトルとともに、これまで議論されてこなかったSi1s光電子スペクトルを測定することで、この中間極薄SiO_2膜の光学的誘電率がバルクSiO_2と異なることを定量的に明らかにした。
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Report
(4 results)
Research Products
(61 results)
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[Journal Article] X-ray photoelectron spectroscopy study of dielectric constants for Si compounds2006
Author(s)
K. Hirose, M. Kihara, D. Kobayashi, H. Okamoto, S. Shinagawa, H. Nohira, E. Ikenaga, M. Higuchi, A. Teramoto, S. Sugawa, T. Ohmi, T. Hattori
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Journal Title
Applied Physics letters Vol. 89
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