Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
Project/Area Number |
18360160
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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Research Institution | University of Tsukuba |
Principal Investigator |
SANO Nobuyuki University of Tsukuba, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (90282334)
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Research Collaborator |
上地 忠良 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士後期課程3年
福井 貴之 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士前期課程2年
中西 洸平 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士前期課程1年
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥15,610,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Fiscal Year 2006: ¥10,800,000 (Direct Cost: ¥10,800,000)
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Keywords | 電子デバイス / 集積回路 / 半導体デバイス / デバイス・シミュレーション / ボルツマン輸送方程式 / モンテカルロ法 / クーロン相互作用 / 電子輸送 / 計算物理 / 半導体物性 |
Research Abstract |
電子間および電子不純物間クーロン相互作用を3次元粒子シミュレーションに高精度に導入したうえで、現実的なデバイス構造のデバイス・シミュレータを構築した。高濃度ソースおよびドレインでの集団運動(プラズマ波の励起)、電子の縮退状態、バンドテール効果とホットエレクトロン化、が正しくシミュレートできていること検証することで、ソース/ドレイン領域まで含めた構造でのモンテカルロ・シミュレータの動作の正当性を検証した。
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Report
(4 results)
Research Products
(32 results)