| Project/Area Number |
18360174
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Shimane University |
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Principal Investigator |
TSUCHIYA Toshiaki Shimane University, 総合理工学部, 教授 (20304248)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
MUROTA Junichi 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
SAKURABA Masao 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| Research Collaborator |
TAKEHIRO Shinobu 東北大学, 電気通信研究所, 助手
MISHIMA Seiji 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
YOSHIDA Keiichi 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
MORI Yuki 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥16,030,000 (Direct Cost: ¥14,800,000、Indirect Cost: ¥1,230,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2006: ¥10,700,000 (Direct Cost: ¥10,700,000)
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| Keywords | マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / 電子デバイス・機器 / SiGe / ヘテロ界面 / チャージポンピング法 / MOS |
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| Research Abstract |
ポストスケーリングデバイスとして有望視されているSiGe/SiヘテロチャネルMOSデバイスにおいて,重要なチャネル部に導入されたSiGe/Siヘテロ界面について,その電気的特性を評価する手法を開発し,電気的品質やジュール熱による安定性を明らかにした.これらの結果は,非古典的ナノヘテロデバイス実現に向けて大きな寄与をするものである.
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