Preparation of guideline for sensing deep ultra-violet light using metal/diamond interfaces
| Project/Area Number |
18360341
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Structural/Functional materials
|
|---|
| Research Institution | National Institute for Materials Science |
|---|
Principal Investigator |
KOIDE Yasuo National Institute for Materials Science, センサ材料センター, グループリーダー (70195650)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MEIYONG Liao 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 主任研究員 (00425555)
IMURA Masataka 独立行政法人物質・材料研究機構, 若手国際研究拠点, NIMSポスドク研究員 (80465971)
|
|---|
| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
ALVAREZ Jose フランス国立科学研究センター, 研究員
|
|---|
| Project Period (FY) |
2006 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥18,340,000 (Direct Cost: ¥15,400,000、Indirect Cost: ¥2,940,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000)
Fiscal Year 2007: ¥6,890,000 (Direct Cost: ¥5,300,000、Indirect Cost: ¥1,590,000)
Fiscal Year 2006: ¥5,600,000 (Direct Cost: ¥5,600,000)
|
|---|
| Keywords | ダイヤモンド / 深紫外線 / ショットキー型 / MSM型 / 永続的光伝導 / 光応答 / フォトディテクター / 利得 |
|---|
| Research Abstract |
金属/ダイヤモンド接合界面における深紫外線センシングの学理を構築した。即ち、深紫外線が照射されている準定常状態においてエピ層内の正孔寿命が長くなるとともに正孔が高濃度に蓄積され、この正孔蓄積が正孔の担う光電流の起源であり、センシング感度を向上させる利得特性の本質である。また、深紫外線照射を止めると、蓄積した正孔が減少し熱平衡状態へもどるまでの遷移時間によって、永続的光伝導、応答速度が決まっている。
|
Report
(4 results)
Research Products
(95 results)
