Study of charge transport at an interface of organic semiconductor and its control by self-assembled monolayers

• Project/Area Number: 18540328
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Condensed matter physics I
• Research Institution: 株式会社日立製作所(研究開発本部)
• Principal Investigator: SUWA Yuji 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 (20216500)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): HASHIZUME Tomihiro 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 (70198662)
• Project Period (FY): 2006 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥2,960,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2008: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000); Fiscal Year 2007: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000); Fiscal Year 2006: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
• Keywords: 表面 / 界面 / 有機半導体 / 有機トランジスタ / 単分子膜 / ショットキーバリア / 電気双極子 / 第一原理計算 / 相補型TFT / 有効遮蔽場法 / 単文子膜

Research Abstract

有機トランジスタの実用化に際して課題となる半導体電子状態の局所的な制御を、界面から機能性単分子膜を接触させる事で実現する方法の有効性を、第一原理計算と実験の両面から検討した。その結果、接触抵抗低減や閾値電圧の調整などに実用的に使用できる可能性がある事がわかった。

Research Products

• [Journal Article] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2x1surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations (2006)
  • Author(s): 諏訪雄二、藤森正成、平家誠嗣、寺田康彦、吉本芳英、赤木和人、杉野修、橋詰富博
  • Journal Title: Physical Review B 74 Pages: 205308-205308
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Formation of dihydride chains on H-terminated Si(100)-2xl surfaces : Scanning tunneling microscopy and first-principles calculations (2006)
  • Author(s): Yuji Suwa
  • Journal Title: Physical Review B 74 Pages: 205308-205308
• [Presentation] 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究 (2008)
  • Author(s): 諏訪雄二、平家誠嗣、森下英郎、伊藤耕三、橋詰富博
  • Organizer: 日本物理学会2008年秋季大会
  • Place of Presentation: 岩手大学
  • Year and Date: 2008-09-22
• [Presentation] Fitst Principlpes Study of Self-Assembled Monolayers in Organic Transistors (2008)
  • Author(s): 諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
  • Organizer: The 1st International Conference of the Grand Challenge to Net-Generation Integrated Nanoscience
  • Place of Presentation: 日本科学未来館
  • Year and Date: 2008-06-04
• [Presentation] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers at the interface between Metal and Organic Semiconductor (2007)
  • Author(s): 諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
  • Organizer: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • Place of Presentation: 東京大学駒場キャンパス
  • Year and Date: 2007-11-14
• [Presentation] First Principles study of Self-Assembled Monolayers at the interface between Metal and Organic Semiconductor (2007)
  • Author(s): 諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、橋詰富博
  • Organizer: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • Place of Presentation: 東京大学駒場キャンパス
  • Year and Date: 2007-11-14
• [Presentation] 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究 (2007)
  • Author(s): 諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、藤森正成、橋詰富博
  • Organizer: 日本物理学会第62回年次大会
  • Place of Presentation: 北海道大学
  • Year and Date: 2007-09-21
• [Presentation] 金属・有機半導体界面のショットキーバリア低減のための単分子膜材料設計 (2007)
  • Author(s): 諏訪雄二、平家誠嗣、藤森正成、新井唯、橋詰富博
  • Organizer: ナノ学会第5回大会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場
  • Year and Date: 2007-05-22
• [Presentation] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers between Metal and Organic Semiconductor (2007)
  • Author(s): 諏訪雄二、新井唯、平家誠嗣、藤森正成、橋詰富博
  • Organizer: International Symposium on Theories of Organic-Metal Interfaces 2007
  • Place of Presentation: 大阪大学
  • Year and Date: 2007-01-15
• [Presentation] First Principles Study of Self-Assembled Monolayers on Metal Surfaces (2006)
  • Author(s): 諏訪雄二、藤森正成、平家誠嗣、安藤正彦、橋詰富博
  • Organizer: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors
  • Place of Presentation: ウイーン・インペリアルパレス
  • Year and Date: 2006-07-24
• [Patent(Industrial Property Rights)] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 橋詰富博、諏訪雄二、新井唯、芝健夫
  • Industrial Property Rights Holder: 株式会社日立製作所
  • Industrial Property Number: 2008-001024
  • Filing Date: 2008-01-08
• [Patent(Industrial Property Rights)] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 諏訪雄二、橋詰富博、平家誠嗣
  • Industrial Property Rights Holder: 株式会社日立製作所
  • Industrial Property Number: 2008-057232
  • Filing Date: 2008-03-07
• [Patent(Industrial Property Rights)] 有機薄膜トランジスタアレイおよび有機薄膜トランジスタアレイの製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 橋詰富博, 諏訪雄二, 新井唯, 芝健夫
  • Industrial Property Rights Holder: 株式会社日立製作所
  • Filing Date: 2008-01-08
• [Patent(Industrial Property Rights)] 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2008)
  • Inventor(s): 諏訪雄二, 橋詰富博, 平家誠嗣
  • Industrial Property Rights Holder: 株式会社日立製作所
  • Acquisition Date: 2008-03-07
• [Patent(Industrial Property Rights)] 有機薄膜トランジスタ (2008)
  • Inventor(s): 橋詰富博, 諏訪雄二, 新井唯, 芝健夫
  • Industrial Property Rights Holder: 株式会社日立製作所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2008-001024
  • Filing Date: 2008-01-08
  • Acquisition Date: 2011-11-25
• [Patent(Industrial Property Rights)] 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置 (2008)
  • Inventor(s): 諏訪雄二, 橋詰富博, 平家誠嗣
  • Industrial Property Rights Holder: 株式会社日立製作所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2008-057232
  • Filing Date: 2008-03-07
  • Acquisition Date: 2012-06-22