Fabrication and evaluation of Nanocrystalline devices for organic spintronics

• Project/Area Number: 18550172
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Functional materials/Devices
• Research Institution: National Institute of Information and Communications Technology
• Principal Investigator: HASEGAWA Hiroyuki National Institute of Information and Communications Technology, 未来ICT研究センターナノICTグループ, 特別研究員 (10399537)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): MATSUDA Masaki 熊本大学, 大学院自然科学研究科, 准教授 (80376649)
• Project Period (FY): 2006 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥720,000); Fiscal Year 2008: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2007: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2006: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000)
• Keywords: 電気・磁気デバイス / ナノ電解法 / スピントロニクス / 有機導体 / ナノワイヤ / 電解結晶成長 / 磁場効果

Research Abstract

ナノワイヤ(針状ナノ単結晶)を基にしたデバイスを省エネルギー、低環境負荷な手法で作製可能な「ナノ電解法」を用いて、ナノスケール磁気デバイスの作製に成功した。このナノ結晶に磁場に応答する局在スピンを導入し、電流-電圧特性の磁場効果を測定したところ、20Kにおいて磁場の大きさに応じて電流の増幅効果が見られた。また、磁場の向きによって増幅効果に変化(角度依存性)が現れることが分かった。増幅効果については材料の有する負の磁気抵抗効果によるものと考えられ、今後も更なる研究が必要である。

Research Products

• [Journal Article] Organic Mott Insulator Single crystalline Nanowire Formed by Nanoscale Electrocrystallizastion (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之、野口裕、上田里永子、益子信郎
  • Journal Title: Thin Solid Films 516 Pages: 2491-2494
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Organic Mott Insulator Single crystalline Nanowire Formed by Nanoscale Electrocrystallizastion (2008)
  • Author(s): Hiroyuki HASEGAWA
  • Journal Title: Thin Solid Films (Elsevier) 516 Pages: 2491-2494
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Organic Mott Insulator Single crystalline Nanowire Formed by Nanoscale Electrocrystallizastion
  • Author(s): 長谷川 裕之
  • Journal Title: Thin Solid Films (Elsevier) (accepted)
• [Presentation] Site-selectiveFormation of Nanocrystals using the Nanoscale- electrocrystallization and Fabrication of Electromagnetic Field Controlled Devices (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: 8th International Conference on Nano-molecular Electronics 2008
  • Place of Presentation: 神戸市
  • Year and Date: 2008-12-10
• [Presentation] Site-selective Formation of Nanocrystals using the Nanoscale-electrocrystallization and Fabrication of Electromagnetic Field Controlled Devices (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之
  • Organizer: 8th International Conference on Nano-molecular Electronics 2008
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場
  • Year and Date: 2008-12-10
• [Presentation] Fabrication of organic nanocrystalline devices using the Nanoscale- electrocrystallization (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之
  • Organizer: Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science
  • Place of Presentation: 米国ホノルル市
  • Year and Date: 2008-10-14
• [Presentation] Fabrication of organic nanocrystalline devices using the Nanoscale-electrocrystallization (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之
  • Organizer: Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-state Science
  • Place of Presentation: ホノルル(アメリカ)
  • Year and Date: 2008-10-14
• [Presentation] ナノ電解法によるナノ単結晶の作製と電磁場制御デバイスの構築 (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: 分子科学討論会2008
  • Place of Presentation: 福岡市
  • Year and Date: 2008-09-24
• [Presentation] ナノ電解法によるナノ単結晶の作製と電磁場制御デバイスの構築 (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之
  • Organizer: 分子科学討論会2008
  • Place of Presentation: 福岡国際会議場
  • Year and Date: 2008-09-24
• [Presentation] ナノ電解法による電磁場制御デバイスの作製と特性 (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: 有機ナノ界面制御素子研究会
  • Place of Presentation: 大阪市
  • Year and Date: 2008-04-14
• [Presentation] ナノ電解法による電磁場制御デバイスの作製と特性 (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之
  • Organizer: 有機ナノ界面制御素子研究会
  • Place of Presentation: 大阪産業大学
  • Year and Date: 2008-04-14
• [Presentation] ナノ電解法による電磁場制御デバイスの作製とその特性 (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: 日本化学会第88春季年会
  • Place of Presentation: 東京都
  • Year and Date: 2008-03-29
• [Presentation] ナノ電解法による電磁場制御デバイスの作製とその特性 (2008)
  • Author(s): 長谷川 裕之
  • Organizer: 日本化学会第88春季年会
  • Place of Presentation: 立教大学(東京)
  • Year and Date: 2008-03-29
• [Presentation] ナノ電解法によるナノ単結晶の作製とデバイス化 (2008)
  • Author(s): 長谷川裕之
  • Organizer: シンポジウム「化学を基盤とする物質科学イノベーション」
  • Place of Presentation: 札幌市
  • Year and Date: 2008-03-03
• [Presentation] ナノ電解法によるナノ単結晶の作製とデバイス化 (2008)
  • Author(s): 長谷川 裕之
  • Organizer: シンポジウム「化学を基盤とする物質科学イノベーション」
  • Place of Presentation: 北海道大学(札幌)e
  • Year and Date: 2008-03-03
• [Presentation] Organic nanocrystalline device fabrication using the Nanoscale-electrocrystallization (2007)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: Singapore International Chemistry Conference5
  • Place of Presentation: シンガポール
  • Year and Date: 2007-12-17
• [Presentation] Organic nanocrystalline device fabrication using the Nanoscale-electrocrystallization (2007)
  • Author(s): 長谷川 裕之
  • Organizer: Singapore Intemational Chemistry Conference 5
  • Place of Presentation: Singapore Int'l Convention & Exhibition Centre
  • Year and Date: 2007-12-17
• [Presentation] ナノ電解法による有機導体ナノ結晶デバイスの作製とその特性(4) (2007)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: 応用物理学会第68回秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 札幌市
  • Year and Date: 2007-09-07
• [Presentation] ナノ電解法による有機導体ナノ結晶デバイスの作製とその特性(4) (2007)
  • Author(s): 長谷川 裕之
  • Organizer: 応用物理学会第68回秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 北海道工業大学(札幌)
  • Year and Date: 2007-09-07
• [Presentation] Development of single crystalline organic devices using the Nanoscale-electrocrystallization (2007)
  • Author(s): 長谷川裕之他
  • Organizer: 有機テクノロジー国際会議
  • Place of Presentation: 東京都
• [Presentation] Development of single crystalline organic devices using the Nanoscale-electrocrystallization (2007)
  • Author(s): 長谷川 裕之
  • Organizer: 有機テクノロジー国際会議
  • Place of Presentation: 東京ビッグサイト(東京)
• [Patent(Industrial Property Rights)] 導電性ナノワイヤによる磁気スイッチング素子 (2008)
  • Inventor(s): 長谷川裕之、大友明、松田真生、田島裕之
  • Industrial Property Rights Holder: (独)情報通信研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-207298
  • Filing Date: 2008-08-11
• [Patent(Industrial Property Rights)] 導電性ナノワイヤによる磁気スイッチング素子 (2008)
  • Inventor(s): 長谷川裕之, 松田真生
  • Industrial Property Rights Holder: (独)情報通信研究機構
  • Industrial Property Number: 2008-207298
  • Filing Date: 2008-08-11