| Project/Area Number |
18550181
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic industrial materials
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
ASHIDA Atsushi Osaka Prefecture University, 大学院・工学研究科, 准教授 (60231908)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
WAKITA Kazuki 千葉工業大学, 工学部, 教授 (80201151)
SHIM Yong-gu 大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 助教 (20336803)
IKENAGA Akira 大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60128759)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥4,240,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
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| Keywords | 結晶 / 多結晶材料 / 電気化学 / 酸化亜鉛 / 定電流成長 / シリコン基板 / 亜鉛イオン / パルス電流 / 薄膜成長 / 太陽電池 / 結晶成長 |
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| Research Abstract |
本研究では、まず金属基板上で電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の成長条件を詳細に検討した。また電気伝導特性評価のため、極薄の酸化亜鉛上に成長させた。供給する電流をパルス化することで伝導特性が変化した。この原因として溶液中での再溶解による欠陥生成の抑制が考えられる。これらの結果を基に成長条件を検討し、(100)および(111)Si基板上に多結晶酸化亜鉛薄膜を得ることに成功した。
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