| Project/Area Number |
18560002
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
|
|---|
| Research Institution | Iwate University |
|---|
Principal Investigator |
YOSHIMOTO Noriyuki Iwate University, 工学研究科, 准教授 (80250637)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
OGAWA Satoshi 岩手大学, 工学部, 教授 (70224102)
FUJISHIRO Hiroyuki 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
|
|---|
| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
OGAWA Satoshi 岩手大学, 工学部, 教授 (70224102)
FUJISHIRO Hiroyuki 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2006 – 2008
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
|
| Budget Amount *help |
¥3,880,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
|
|---|
| Keywords | 有機半導体 / 結晶成長 / 薄膜 / X線回折 / 有機トランジスタ / X線回析 |
|---|
| Research Abstract |
真空蒸着法による有機半導体薄膜の成長初期過程の解明を目的とし、微少角入射(GIXD)In-planeX線回折により有機半導体薄膜の面内構造を調査し、その膜厚依存性を解明するとともにトランジスタ特性を調査した。本研究において、SiO2ウエハ上に蒸着した平均膜厚0.2~100nmのオリゴチオフェンのIn-plane GIXDパタンを得ることに成功し、膜厚の増加と共に分子間のパッキングが変化することを明らかにした。
|
