| Project/Area Number |
18560020
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Thin film/Surface and interfacial physical properties
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| Research Institution | Mie University |
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Principal Investigator |
ITO Tomonori Mie University, 大学院・工学研究科, 教授 (80314136)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
AKIYAMA Toru 三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40362363)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,980,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2007: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
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| Keywords | 量子論的アプローチ / 半導体表面構造 / 状態図 / 計算科学 / ナノ構造 / 成長機構 / ナノワイヤ / 量子ドット / 積層欠陥四面体 |
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| Research Abstract |
ボンドエンジニアリング概念に基づく量子論的アプローチにより, ナノ構造形成に重要な「場」としての半導体表面を対象に, 成長条件である温度, 分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行った。具体的には, GaAs(001)表面構造予測と計算手法の妥当性の検証, GaAs(lll)表面構造予測とSiドーピング機構, GaN(0001)表面構造予測とGaN成長初期過程, 化合物半導体ナノワイヤにおける構造多形の成因, 積層欠陥四面体形成機構, SiC(ll-20)表面上のAIN薄膜形成過程および構造多形等について検討を行い, ボンドエンジニアリング概念に基づく表面状態図予測のナノ構造形成機構解明への有用性を示した。
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