Yield optimum layout generation under optical proximity effect
Project/Area Number |
18560327
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
IKEDA Makoto The University of Tokyo, 大規模集積システム設計教育研究センター, 准教授 (00282682)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SASAKI Masahiro 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助教 (50339701)
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Project Period (FY) |
2006 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Fiscal Year 2008: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000)
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Keywords | 電子デバイス / 電子機器 / マスクレイアウト設計 / OPC / 網羅的セルレイアウト生成 / セルリーク電流最小化 / セル歩留まり / 焦点深度 / 露光時間 / セルレイアウト自動合成 / クリティカルエリア / レイアウト設計 / 光学近接効果 / 光学近接効果補正 / セルレイアウト / 歩留まり / 設計製造性 |
Research Abstract |
集積回路の製造において用いられる微細なパターンの光転写において不可避となっている光学近接効果補正に対して、本研究では、設計パターンと製造されるパターンから逆問題を解くことにより補正を実施する手法の検討、パターン転写による製造不良を削減可能であることを示した。さらに、転写におけるばらつきがディジタル設計向けのセルにおける遅延、リークに与える影響の検討を行い、光学近接効果を考慮した場合のセルレイアウトの最適化によりセルのリーク電力低減に効果的であることを示した。
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Report
(4 results)
Research Products
(18 results)