Fundamental Study on GaN-based Surface emitting devices and their integration
| Project/Area Number |
18560344
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
HONDA Tohru Kogakuin University, 工学部, 教授 (20251671)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,750,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2008: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2006: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
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| Keywords | 窒化物 / 半導体 / 発光素子 / 面発光 / 集積 / 発光ダイオード / エレクトロルミネッセンス / 分子線エピタキシャル成長 / 紫外線発光 / 窒化ガリウム / ショットキー型 / アルミニウム / 集積化 / 窒化物半導体 / GaN / ディスプレイ / 分子線エピタキシー |
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| Research Abstract |
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
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Report
(4 results)
Research Products
(64 results)
