Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics

• Project/Area Number: 18686005
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: NAKATSUKA Osamu Nagoya University, 大学院・工学研究科, 講師 (20334998)
• Project Period (FY): 2006 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥30,420,000 (Direct Cost: ¥23,400,000、Indirect Cost: ¥7,020,000); Fiscal Year 2008: ¥6,110,000 (Direct Cost: ¥4,700,000、Indirect Cost: ¥1,410,000); Fiscal Year 2007: ¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000); Fiscal Year 2006: ¥17,940,000 (Direct Cost: ¥13,800,000、Indirect Cost: ¥4,140,000)
• Keywords: ゲルマニウム / コンタクト / 界面 / ジャーマナイド / ULSI / プロセス技術 / 結晶工学 / ニッケル / 電子・電気材料

Research Abstract

次世代超々大規模集積回路の高性能化、低消費電力化に期待される高移動度ゲルマニウム(Ge)チャネルデバイス実現のために、金属電極/Ge界面の低抵抗化、熱的安定性向上を目指して金属/Ge界面の結晶構造および電気伝導特性制御に関する研究を行った。ニッケルジャーマナイド(NiGe)への白金(Pt)添加を施し形成した(Ni1-xPtx)Ge層によって、従来のNiGeよりも熱的安定性に優れたジャーマナイド/Geコンタクト形成に成功した。また、金属/Ge界面制御を施した金属/GeコンタクトのSchottky障壁高さ評価から、フェルミレベルピニングを解消し、低Schottky障壁高さを実現するための知見を得た。

Research Products

• [Journal Article] Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上 (2007)
  • Author(s): 鈴木敦之, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
  • Journal Title: 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 第2分冊 Pages: 902-902
• [Journal Article] Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge (001) Substrates (2007)
  • Author(s): O.Nakatsuka, A.Suzuki, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
  • Journal Title: The 7th International Workshop on Junction Technology (掲載決定済)
• [Presentation] Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts (2009)
  • Author(s): O. Nakatsuka, S. Akimoto, T. Nishimura, and S. Zaima
  • Organizer: The 9th International Workshop on Junction Technology 2009
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan
• [Presentation] Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts (2009)
  • Author(s): O. Nakatsuka, S. Akimoto, T. Nishimura, and S. Zaima
  • Organizer: The 9 th International Workshop on Junction Technology 2009
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan(採択決定)
• [Presentation] 金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御(招待講演) (2008)
  • Author(s): 中塚理, 酒井朗, 財満鎭明
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会, 4p-ZB-8
• [Presentation] 金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御(招待講演) (2008)
  • Author(s): 中塚理, 酒井朗, 財満鎭明
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学、名古屋
• [Presentation] Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge(001) Substrates (2007)
  • Author(s): O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
  • Organizer: 7th International Workshop on Junction Technology 2007, pp. 87-88
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan
• [Presentation] Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上 (2007)
  • Author(s): 鈴木敦之, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
  • Organizer: 第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-SM-5
  • Place of Presentation: 青山学院大学
• [Presentation] Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge (001) Substrates (2007)
  • Author(s): O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
  • Organizer: 7th International Workshop on Junction Technology 2007
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan
• [Patent(Industrial Property Rights)] ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体 (2007)
  • Inventor(s): 中塚理、酒井朗、鈴木敦之、小川正毅、財満鎭明
  • Industrial Property Rights Holder: 国立大学法人名古屋大学
  • Industrial Property Number: 2007-247138
  • Filing Date: 2007-09-25
• [Patent(Industrial Property Rights)] ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体 (2007)
  • Inventor(s): 中塚理、酒井朗、鈴木敦之、小川正毅、財満鎭明
  • Industrial Property Rights Holder: 国立大学法人名古屋大学
  • Industrial Property Number: 2007-247138
  • Acquisition Date: 2007-09-25
  • Overseas