Study on One-Dimensional Nano-Spin Photo-Detectors Fabricated by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
| Project/Area Number |
18686026
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
HARA Shinjiro Hokkaido University, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50374616)
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| Research Collaborator |
KLAR Peter ギーセン大学(ドイツ), 物理学部, 教授
KRUG VON NIDDA Hans-albrecht アウグスブルグ大学(ドイツ), 物理学部, 博士研究員
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥26,910,000 (Direct Cost: ¥20,700,000、Indirect Cost: ¥6,210,000)
Fiscal Year 2008: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000)
Fiscal Year 2007: ¥10,010,000 (Direct Cost: ¥7,700,000、Indirect Cost: ¥2,310,000)
Fiscal Year 2006: ¥11,960,000 (Direct Cost: ¥9,200,000、Indirect Cost: ¥2,760,000)
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| Keywords | 有機金属気相成長 / 選択形成 / 強磁性体 / III-V族化合物半導体 / ヘテロ接合 / ナノクラスタ / ナノワイヤ / スピントロニクス / 位置制御選択形成 / 自己形成 / スピンエレクトロニクス / インジウム燐 / ガリウムインジウム砒素 / マンガン砒素 |
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| Research Abstract |
位置およびサイズを精密に制御して、強磁性体ナノ構造を半導体ウェハ上に作製する「選択形成技術」を初めて開発した。強磁性体ナノ構造の結晶成長条件(温度・原料ガス供給比等)依存性を明らかにして、ナノ構造の成長方向制御を実現すると共に、磁気物性評価と合わせてナノ構造の磁化方向制御技術を確立した。また原子レベルで急峻・平坦な強磁性体/半導体界面・表面を持つナノ構造を作製し、コアとなる化合物半導体ナノワイヤの組成制御を実現した。
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Report
(4 results)
Research Products
(41 results)
