Semiconductor lasers with carrier energy filter structure
| Project/Area Number |
18686031
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
MIYAMOTO Tomoyuki Tokyo Institute of Technology, 精密工学研究所, 准教授 (70282861)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥30,030,000 (Direct Cost: ¥23,100,000、Indirect Cost: ¥6,930,000)
Fiscal Year 2008: ¥8,840,000 (Direct Cost: ¥6,800,000、Indirect Cost: ¥2,040,000)
Fiscal Year 2007: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Fiscal Year 2006: ¥11,440,000 (Direct Cost: ¥8,800,000、Indirect Cost: ¥2,640,000)
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / 高性能レーザー / MBE / エピタキシャル / 量子井戸 / 半導体物性 / 半導体レーザー / 光情報伝送 / キャリア分布 |
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| Research Abstract |
光通信用半導体レーザの性能向上を制限するキャリア注入課題の克服のため, キャリアのエネルギー状態に基づく遷移を制御するエネルギーフィルタリングのためのトンネル注入量子構造とそのレーザ応用を検討した.理論解析から高速動作の設計指針と動作条件を明らかにし, 実験的に製作条件検討に基づきレーザ発振を確認することで, 本手法の課題を明確化した. また, 新規発振特性を見出し, その高速動作応用を提案した. 本研究により, 新原理に基づく高性能レーザの基礎を築いた.
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Report
(4 results)
Research Products
(29 results)
